[发明专利]一种高压H桥短路保护电路在审
申请号: | 202110744215.4 | 申请日: | 2021-07-01 |
公开(公告)号: | CN113363945A | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 肖明;肖余 | 申请(专利权)人: | 深圳市矽塔科技有限公司 |
主分类号: | H02H7/20 | 分类号: | H02H7/20;H02H9/02 |
代理公司: | 杭州麦知专利代理事务所(普通合伙) 33397 | 代理人: | 李兵 |
地址: | 518000 广东省深圳市粤海街道高新区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高压 短路 保护 电路 | ||
1.一种高压H桥短路保护电路,其特征在于:包括H桥电路,所述H桥电路包括有第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3和第四MOS管M4等四个桥臂,所述第一MOS管M1与第三MOS管M3之间连接有OUT1,所述第二MOS管M2与第四MOS管M4之间连接有OUT2,所述OUT1与OUT2之间连接有外接电机M,所述H桥电路的一侧连接有VDD,所述H桥电路的另一侧连接有地线GND。
2.根据权利要求1所述的一种高压H桥短路保护电路,其特征在于:所述第一MOS管M1内还设置有第一体二级管D1,所述第二MOS管M2内还设置有第二体二级管D2,所述第三MOS管M3内还设置有第三体二级管D3,所述第四MOS管M4内还设置有第四体二级管D4,所述M1与M2组成高端管,所述M3与M4组成低端管。
3.根据权利要求2所述的一种高压H桥短路保护电路,其特征在于:所述第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3和第四MOS管M4均连接有保护电路,所述保护电路包括有限流电路,所述限流电路连接有过流保护电路。
4.根据权利要求3所述的一种高压H桥短路保护电路,其特征在于:所述限流电路包括有第一采样管MS1,所述第一采样管MS1连接有第一电阻R1,所述第一电阻R1连接有第一运算放大器I1,所述第一运算放大器I1连接有栅极预驱电路,所述栅极预驱电路与过流保护电路相连接。
5.根据权利要求4所述的一种高压H桥短路保护电路,其特征在于:所述过流保护电路包括有第二采样管MS2,所述第二采样管MS2与栅极预驱电路相连接,所述第二采样管MS2连接有第二电阻R2,所述第二电阻R2连接有第二运算放大器I2,所述第二运算放大器I2连接有比较器I3。
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