[发明专利]一种高压H桥短路保护电路

说明书

本发明公开了一种高压H桥短路保护电路，其特征在于：包括H桥电路，所述H桥电路包括有第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3和第四MOS管M4等四个桥臂，所述第一MOS管M1与第三MOS管M3之间连接有OUT1，所述第二MOS管M2与第四MOS管M4之间连接有OUT2，所述OUT1与OUT2之间连接有外接电机M，所述H桥电路的一侧连接有VDD，所述H桥电路的另一侧连接有地线GND。本发明通过设置限流电路和过流保护电路，在出现输出短路或者电流达到设定的阈值的时候，输出电流可以被限制在一个最小的电流设定值，此电流处于安全范围内，防止电流太大损坏mos管，并且产生过流信号送到逻辑模块内，产生关断信号，关闭功率管，增强了电路可靠性。

技术领域

本发明属于电路技术领域，具体涉及一种高压H桥短路保护电路。

背景技术

H桥电路由4个开关器件和一个负载组成，4个开关器件构成了“H”的左右竖杠，负载是“H”的横杠，电路形状为“H”，故命名为H桥。H桥电路用于驱动直流电机时，通常采用4个MOS管作为开关器件组成H桥电路，H桥被广泛应用于无刷直流电机中，当同侧的上、下2个MOS管导通时，造成电源的短路，如果出现短路，严重时会导致H桥的损坏，使H桥电路无法正常工作。

发明内容

针对上述背景技术所提出的问题，本发明的目的是：旨在提供一种高压H桥短路保护电路。

为实现上述技术目的，本发明采用的技术方案如下：

一种高压H桥短路保护电路，包括H桥电路，所述H桥电路包括有第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3和第四MOS管M4等四个桥臂，所述第一MOS管M1与第三MOS管M3之间连接有OUT1，所述第二MOS管M2与第四MOS管M4之间连接有OUT2，所述OUT1与OUT2之间连接有外接电机M，所述H桥电路的一侧连接有VDD，所述H桥电路的另一侧连接有地线GND。

进一步限定，所述第一MOS管M1内还设置有第一体二级管D1，所述第二MOS管M2内还设置有第二体二级管D2，所述第三MOS管M3内还设置有第三体二级管D3，所述第四MOS管M4内还设置有第四体二级管D4，所述M1与M2组成高端管，所述M3与M4组成低端管。

进一步限定，所述第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3和第四MOS管M4均连接有保护电路，所述保护电路包括有限流电路，所述限流电路连接有过流保护电路。

进一步限定，所述限流电路包括有第一采样管MS1，所述第一采样管MS1连接有第一电阻R1，所述第一电阻R1连接有第一运算放大器I1,所述第一运算放大器I1连接有栅极预驱电路,所述栅极预驱电路与过流保护电路相连接。

进一步限定，所述过流保护电路包括有第二采样管MS2，所述第二采样管MS2与栅极预驱电路相连接，所述第二采样管MS2连接有第二电阻R2，所述第二电阻R2连接有第二运算放大器I2，所述第二运算放大器I2连接有比较器I3。

本发明的有益效果为：本发明通过设置限流电路和过流保护电路，在出现输出短路或者电流达到设定的阈值的时候，输出电流可以被限制在一个最小的电流设定值，此电流处于安全范围内，防止电流太大损坏mos管，并且产生过流信号送到逻辑模块内，产生关断信号，关闭功率管，增强了电路可靠性。

附图说明

本发明可以通过附图给出的非限定性实施例进一步说明；

图1为本发明实施例一种高压H桥短路保护电路的H桥结构示意图；

图2为本发明实施例一种高压H桥短路保护电路的保护电路结构示意图；

具体实施方式

为了使本领域的技术人员可以更好地理解本发明，下面结合附图和实施例对本发明技术方案进一步说明。