[发明专利]致密高纯锶钽氧氮化物陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种致密高纯锶钽氧氮化物陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、将锶钽氧氮化物陶瓷粉体与乙醇混合均匀，经球磨后，干燥、过筛，得到预烧结粉体；

S2、将步骤S1所得的预烧结粉体，在加压、保护气氛条件下或者在加压、真空条件下进行放电等离子烧结，所述加压的压力为140MPa～150MPa，所述放电等离子烧结的烧结温度为1300℃～1400℃，升温速率为300℃/min～500℃/min，烧结保温0～10min，然后自然冷却，得到陶瓷初始烧结体；

S3、将步骤S2所得的陶瓷初始烧结体在氨气气氛、无压力条件下进行二次烧结，烧结温度为1310℃～1500℃，该烧结温度需大于步骤S2中的烧结温度，升温速率为10℃/min～20℃/min，烧结保温1min～80min，然后降温冷却，得到致密高纯锶钽氧氮化物陶瓷。

2.根据权利要求1所述的致密高纯锶钽氧氮化物陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤S2中，烧结保温0～5min。

3.根据权利要求1所述的致密高纯锶钽氧氮化物陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤S3中，烧结保温20min～60min。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的致密高纯锶钽氧氮化物陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述球磨采用的球磨罐材质为聚氨酯、氧化铝或氧化锆，所述球磨采用的球磨珠材质为聚氨酯、氧化铝或氧化锆，所述球磨的时间为1h～8h，所述干燥的温度为50℃～200℃，所述干燥的时间为1h～18h，所述过筛的目数为3000目～10000目。

5.根据权利要求4所述的致密高纯锶钽氧氮化物陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述球磨的时间为2h～4h，所述干燥的温度为100℃～150℃，所述干燥的时间为6h～12h，所述过筛的目数为3000目～6000目。

6.根据权利要求1～3中任一项所述的致密高纯锶钽氧氮化物陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述保护气氛为氮气、氦气和氩气中的一种或多种。

7.根据权利要求1～3中任一项所述的致密高纯锶钽氧氮化物陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述降温冷却的冷却速率为1℃/min～200℃/min。

8.根据权利要求7所述的致密高纯锶钽氧氮化物陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述降温冷却的冷却速率为10℃/min～100℃/min。