[发明专利]一种改善伯努利手臂取圆片的方法在审
申请号: | 202110746865.2 | 申请日: | 2021-07-02 |
公开(公告)号: | CN113628998A | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | 丁爱祥;吕剑;苏亚青 | 申请(专利权)人: | 华虹半导体(无锡)有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/268 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 改善 伯努利 手臂 取圆片 方法 | ||
本发明涉及一种改善伯努利手臂取圆片的方法,涉及半导体制造技术领域,包括:通过重量测量单元测量圆片盒的总重量;装载所述圆片盒至圆片输入埠;感测所述圆片盒内圆片的数量;根据所述总重量和所述数量计算所述圆片盒内单片圆片的重量;以及根据所述单片圆片的重量选择压缩气体管路,使所述伯努利手臂产生对应的吸力以吸取所述圆片。本发明根据单片圆片的重量选择压缩气体管路,使伯努利手臂产生对应的吸力,使其能够同时满足普通厚片的圆片和超薄的圆片的吸取以及传输需求,提高设备运行效率和可靠性。
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种改善伯努利手臂取圆片的方法。
背景技术
在晶背减薄(Backside Grinding Backside Metal,BGBM)工艺工程中,晶圆片(wafer)在进行激光退火工艺时,通常采用伯努利非接触式手臂吸取wafer的正面。然而在伯努利非接触手臂吸取抛光片(dummy),taiko wafer或者超薄taiko wafer时,采用的伯努利压缩干燥空气(compressed dry air,CDA)的气压不变,真空吸力也不变。当晶圆片厚度越大时,要求伯努利非接触手臂的吸力越大,如果吸力太小,会导致厚度较大的晶圆片有掉落碎片风险。当晶圆片厚度越薄时,要求伯努利非接触手臂的吸力越小,如果吸力太大有造成晶圆片裂片风险。
发明内容
本发明在于提供一种改善伯努利手臂取圆片的方法,包括以下步骤:
S11:通过重量测量单元测量圆片盒的总重量;
S12:装载圆片盒至圆片输入埠;
S13:感测圆片盒内圆片的数量;
S14:根据总重量和数量计算圆片盒内单片圆片的重量;以及
S15:根据单片圆片的重量选择压缩气体管路,使伯努利手臂产生对应的吸力以吸取所述圆片。
更进一步的,压缩气体管路包括多条第一压缩气体管路和第二压缩气体管路,多条第一压缩气体管路的一端接收压缩气体,第二压缩气体管路连接在多条第一压缩气体管路的另一端和气缸之间。
更进一步的,设定多个重量区间,其中,每个重量区间与每条第一压缩气体管路一一对应。
更进一步的,当单片圆片的重量在对应的重量区间内时,选择对应的第一压缩气体管路。
更进一步的,每条第一压缩气体管路包括第一电磁阀;通过控制多条第一压缩气体管路的第一电磁阀开通或关闭,选择对应的第一所述压缩气体管路。
更进一步的,每条第一压缩气体管路还包括单向阀和减压阀。
更进一步的,步骤S15具体包括:根据单片圆片的重量选择第一压缩气体管路,使得压缩气体通过对应的第一压缩气体管路和第二压缩气体管路流入气缸,使气缸动作,进而使伯努利手臂产生吸力以吸取圆片。
更进一步的,第二压缩气体管路包括流量计和第二电磁阀。
更进一步的,气缸包括位置传感器。
更进一步的,还包括步骤S16:通过位置传感器测量气缸位置,控制气缸动作。
附图说明
图1为本发明一实施例的改善伯努利手臂取圆片的方法的流程示意图。
图2为本发明一实施例的测量圆片盒总重量的结构示意图。
图3为本发明一实施例的圆片盒装载到圆片输入埠的示意图。
图4为本发明一实施例的压缩气体管路的结构示意图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造