[发明专利]存储器装置、半导体装置和相关方法

权利要求书

1.一种存储器装置，其包括：

多个存储器单元，其布置成阵列，其中每一存储器单元包含晶体管及串联连接到所述晶体管的栅极端子的电容器；

多个第一导电线，其在第一方向上延伸，其中每一第一导电线连接到布置于所述阵列中的相同列中的晶体管的栅极端子；

多个第二导电线，其在所述第一方向上延伸，其中每一第二导电线连接到布置于所述阵列中的相同列中的晶体管的源极端子；

多个第三导电线，其在所述第一方向上延伸，其中每一第三导电线连接到布置于所述阵列中的相同列中的晶体管的漏极端子；及

多个第四导电线，其在第二方向上延伸，其中每一第四导电线耦合到布置于所述阵列中的相同行中的所述电容器。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中当所述存储器装置在写入操作中对所述多个存储器单元中的一者进行操作时，对应第四导电线被引导到指示电压，且对应第一导电线被引导到写入所述多个存储器单元中的所述一者中的数据。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中当所述存储器装置在所述写入操作中对所述多个存储器单元中的所述一者进行操作时，对应第二导电线及对应第三导电线是浮动的。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中当所述存储器装置在读取操作中对所述多个存储器单元中的一者进行操作时，对应第四导电线被引导到指示电压，且对应第一导电线是浮动的。

5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中当所述存储器装置在所述读取操作中对所述多个存储器单元中的所述一者进行操作时，对应第二导电线被引导到所述数据，且对应第三导电线被引导到接地电压。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中每一存储器单元进一步包含连接于所述电容器与对应第四线之间的缓解装置。

7.一种半导体装置，其包括：

衬底；

多个栅极带，其形成于所述衬底上且在第一方向上延伸；

多个铁电材料带，其形成于所述多个栅极带上方且在与所述第一方向正交的第二方向上延伸，其中所述栅极带与所述铁电材料带的相交点界定铁电场效晶体管FeFET阵列；及

多个第一导电线，其在所述第一方向上延伸，其中每一第一导电线连接到所述多个栅极带中的一者；及

多个第二导电线，其在所述第二方向上延伸，其中每一第二导电线连接到所述多个铁电材料带中的一者。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其进一步包括：

多个主动区域，其经配置为FeFET的源极/漏极区域；

多个第三导电线，其在所述第一方向上延伸，其中每一第三导电线连接到布置于相同列中的FeFET的源极区域；及

多个第四导电线，其在所述第一方向上延伸，其中每一第四导电线连接到布置于相同列中的FeFET的漏极区域。

9.一种制造半导体装置的方法，其包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成多个栅极带，且所述多个栅极带在第一方向上延伸；

在所述多个栅极带上方形成多个铁电材料带，且所述多个铁电材料带在与所述第一方向正交的第二方向上延伸，其中所述栅极带与所述铁电材料带的相交点界定铁电场效晶体管FeFET阵列；

形成在所述第一方向上延伸的多个第一导电线，其中每一第一导电线连接到所述多个栅极带中的一者；及

形成在所述第二方向上延伸的多个第二导电线，其中每一第二导电线连接到所述多个铁电材料带中的一者。

10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：

形成经配置为FeFET的源极/漏极区域的多个主动区域；

形成在所述第一方向上延伸的多个第三导电线，其中每一第三导电线连接到布置于相同列中的FeFET的源极区域；及

形成在所述第一方向上延伸的多个第四导电线，其中每一第四导电线连接到布置于相同列中的FeFET的漏极区域。