[发明专利]半导体晶圆支撑装置、加工系统及半导体晶圆转移方法在审
申请号: | 202110748968.2 | 申请日: | 2021-07-02 |
公开(公告)号: | CN113851415A | 公开(公告)日: | 2021-12-28 |
发明(设计)人: | 刘思杰;邱哲夫;王宝明;聂俊峰;张惠政;杨育佳 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/677 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 聂慧荃;郑特强 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 支撑 装置 加工 系统 转移 方法 | ||
1.一种半导体晶圆支撑装置,包括:
多个升降销,配置以接触一半导体晶圆的一背面,其中该多个升降销的其中至少一个包括:
一支撑柱,配置以支撑该半导体晶圆,该支撑柱包括一第一端和一第二端;以及
一应力降低元件,连接至该支撑柱的该第一端和该第二端的其中一个,以减少该多个升降销和该半导体晶圆之间的一接触应力,其中该应力降低元件包括一弹性段部。
2.如权利要求1所述的半导体晶圆支撑装置,其中该弹性段部包括一弹簧,配置以接触该支撑柱的该第一端,该支撑柱的该第二端接触该半导体晶圆的该背面,该弹簧与该支撑柱一体成型且配置以吸收该多个升降销和该半导体晶圆之间的该接触应力的至少一部分。
3.如权利要求2所述的半导体晶圆支撑装置,其中该弹簧具有一侧向弹性常数介于7x103 kg/mm2至8x103 kg/mm2之间,且具有一纵向弹性常数介于19x103 kg/mm2至21x103kg/mm2之间。
4.如权利要求1所述的半导体晶圆支撑装置,其中该弹性段部包括一弹性盖体,覆盖该支撑柱的该第二端,该弹性盖体吸收该多个升降销和该半导体晶圆之间的该接触应力的至少一部分。
5.如权利要求4所述的半导体晶圆支撑装置,其中该弹性盖体的弹性模量在垂直于该多个升降销的一主轴的方向上变化。
6.如权利要求4所述的半导体晶圆支撑装置,其中该弹性盖体包括一多孔材料。
7.如权利要求1所述的半导体晶圆支撑装置,其中该应力降低元件与该支撑柱一体成型,且包括具有扁椭球形的该支撑柱的该第二端,该应力降低元件的曲率半径介于该支撑柱的半径的1倍至5倍的范围内。
8.如权利要求1所述的半导体晶圆支撑装置,还包括一静电卡盘,该静电卡盘包括:
一基底,配置以支撑该半导体晶圆;以及
多个开孔,位于该基底中,
其中该多个升降销位于该多个开孔中,且配置以从该基底抬升该半导体晶圆以及使该半导体晶圆下降至该基底上。
9.一种半导体晶圆加工系统,包括:
一铰接式机械手臂,具有一第一端和一第二端;
一转移刀片,位于该铰接式机械手臂的该第一端;以及
一半导体加工单元操作,包括一半导体晶圆支撑装置,该半导体晶圆支撑装置包括:
多个升降销,配置以接触一半导体晶圆的一背面,其中该多个升降销的其中至少一个包括:
一支撑柱,配置以支撑该半导体晶圆,该支撑柱包括一第一端和一第二端;以及
一应力降低元件,连接至该支撑柱的该第一端和该第二端的其中一个,以减少该多个升降销和该半导体晶圆之间的一接触应力,其中该应力降低元件包括至少一应力降低特征。
10.一种半导体晶圆转移方法,包括:
以一第一半导体晶圆支撑装置将一半导体晶圆抬升,该第一半导体晶圆支撑装置包括:
多个升降销,配置以接触一半导体晶圆的一背面,其中该多个升降销的其中至少一个包括:
一支撑柱,配置以支撑该半导体晶圆,该支撑柱包括一第一端和一第二端;以及
一应力降低元件,连接至该支撑柱的该第一端和该第二端的其中一个,以减少该多个升降销和该半导体晶圆之间的一接触应力,其中该应力降低元件包括一弹性段部;
于该半导体晶圆下方操控一转移刀片;
降低该第一半导体晶圆支撑装置的该多个升降销,使得该半导体晶圆由该转移刀片支撑;以及
以该转移刀片将该半导体晶圆从一第一位置转移至一第二位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造