[发明专利]防止阻焊层离子迁移方法在审
| 申请号： | 202110749504.3 | 申请日： | 2021-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN113677099A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 彭浪祥;彭智新;梁俊业 | 申请（专利权）人： | 广州美维电子有限公司 |
| 主分类号： | H05K3/06 | 分类号： | H05K3/06;H05K3/28 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 杨艳 |
| 地址： | 510663 广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 防止 阻焊层 离子 迁移 方法 | ||
1.一种防止阻焊层离子迁移方法，其特征在于，包括以下步骤：
前期处理步骤：将PCB工件进行前期工序处理，生成待处理工件；
初次水洗步骤：将待处理工件水洗处理，清洁表面；
微蚀步骤：将待处理工件微蚀处理，生成蚀后工件；
二次水洗步骤：将蚀后工件水洗处理，清洁表面；
酸洗步骤：将蚀后工件进行酸洗处理；
抗氧化步骤：在蚀后工件加工抗氧化涂层，水洗处理并烘干；
阻焊印刷步骤：进行阻焊印刷；
预烤步骤：一次预烤后，生成预烤工件；
复合光处理步骤：采用平行光与散射光相结合的复合光照射预烤工件的表面；
显影步骤：将工件进行曝光、显影处理，进行后烤，然后进行化学镍金处理；
后续加工步骤：水洗处理并烘干。
2.如权利要求1所述的防止阻焊层离子迁移方法，其特征在于：在所述前期处理步骤中，检验待处理工件是否符合质量要求，若是，执行下一步，若否，进行返工处理。
3.如权利要求1所述的防止阻焊层离子迁移方法，其特征在于：在所述初次水洗步骤中，检验待处理工件的表面光洁度和清洁度是否符合要求，若是，执行下一步，若否，进行返工处理。
4.如权利要求1所述的防止阻焊层离子迁移方法，其特征在于：在所述微蚀步骤中，采用规格为CZ8100的药水进行处理。
5.如权利要求1所述的防止阻焊层离子迁移方法，其特征在于：在所述酸洗步骤中，采用盐酸进行酸洗处理。
6.如权利要求1所述的防止阻焊层离子迁移方法，其特征在于：在所述抗氧化步骤中，加工CL-8300有机保护抗氧化涂层。
7.如权利要求1所述的防止阻焊层离子迁移方法，其特征在于：在所述阻焊印刷步骤中，完成阻焊印刷之后，检验工件是否符合阻焊要求，若是，进行下一步；若否，返工处理。
8.如权利要求1所述的防止阻焊层离子迁移方法，其特征在于：在所述复合光处理步骤中，采用规格为Mms808C的曝光机进行照射。
9.如权利要求1所述的防止阻焊层离子迁移方法，其特征在于：在所述复合光处理步骤中，采用10～11级的曝光等级进行处理。
10.如权利要求1所述的防止阻焊层离子迁移方法，其特征在于：在所述显影步骤中，调整显影时间为60S,显影温度为30℃，显影压力为1.3bar。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州美维电子有限公司，未经广州美维电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110749504.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
