[发明专利]半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：

绝缘层，该绝缘层覆盖外围电路结构；

接触结构，该接触结构在穿透所述绝缘层的同时连接到所述外围电路结构，该接触结构包括在与朝着所述外围电路结构的方向相反的垂直方向上比所述绝缘层突出更远的突出部分；

第一导线，该第一导线包括弯曲部分和水平部分，所述弯曲部分围绕所述接触结构的所述突出部分，所述水平部分从所述弯曲部分延伸到所述绝缘层上，其中，所述弯曲部分在所述垂直方向上比所述水平部分突出更远；

导电结合焊盘，该导电结合焊盘结合到所述第一导线的所述弯曲部分；以及

存储器结构，该存储器结构连接到所述导电结合焊盘。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第一导线的所述弯曲部分具有与所述接触结构的所述突出部分对应的弯曲形状。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第一导线的所述弯曲部分包括面向所述导电结合焊盘的第一结合表面，

其中，所述导电结合焊盘包括面向所述第一导线的第二结合表面，并且

其中，所述第一结合表面形成为比所述第二结合表面宽。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第一导线包括：

第一导电金属屏障层，该第一导电金属屏障层沿着所述接触结构的所述突出部分的表面和所述绝缘层的表面延伸；

金属层，该金属层形成在所述第一导电金属屏障层上；以及

第二导电金属屏障层，该第二导电金属屏障层形成在所述金属层上。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述第二导电金属屏障层和所述导电结合焊盘彼此结合。

6.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述金属层穿透所述第二导电金属屏障层，并且结合到所述导电结合焊盘。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述导电结合焊盘包括：

金属层，该金属层结合到所述弯曲部分；以及

导电金属屏障层，该导电金属屏障层围绕所述金属层的侧壁，该导电金属屏障层沿着所述金属层的面向所述垂直方向的表面延伸。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，其中，所述导电结合焊盘的所述金属层包括面向所述第一导线的所述弯曲部分的结合表面。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：

第一结合绝缘层，该第一结合绝缘层设置在所述存储器结构和所述第一导线之间，该第一结合绝缘层被所述第一导线的所述弯曲部分穿透；以及

第二结合绝缘层，该第二结合绝缘层设置在所述第一结合绝缘层和所述存储器结构之间，该第二结合绝缘层被所述导电结合焊盘穿透，该第二结合绝缘层结合到所述第一结合绝缘层。

10.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，其中，所述第一结合绝缘层和所述第二结合绝缘层中的至少一个包括掺杂有碳的氮化硅层。

11.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：

第二导线，该第二导线连接到所述导电结合焊盘，该第二导线设置在所述导电结合焊盘和所述存储器结构之间；以及

源极层，该源极层与所述第二导线交叠，并且所述存储器结构插置在所述源极层和所述第二导线之间。

12.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，所述存储器结构包括：

栅极层叠结构，该栅极层叠结构设置在所述源极层和所述第二导线之间，该栅极层叠结构包括在所述垂直方向上交替地层叠的层间绝缘层和导电图案；

沟道层，该沟道层与所述源极层接触，该沟道层穿透所述栅极层叠结构；以及

存储器层，该存储器层设置在所述沟道层和所述栅极层叠结构之间。