[发明专利]半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法

说明书

本申请提供了一种半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法。该半导体存储器装置包括：第一电路结构；第一导线，其连接到第一电路结构；第二导线，其面向第一导线；以及第二电路结构，其与第一电路结构交叠，并且第一导线和第二导线插置在第一电路结构和第二电路结构之间，第二电路结构连接到第二导线。第一导线和第二导线中的一个具有朝着第一导线和第二导线中的另一个突出的区域。

技术领域

本公开可总体上涉及半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法，更具体地，涉及一种包括结合结构的半导体存储器装置和该半导体存储器装置的制造方法。

背景技术

半导体存储器装置可包括包含多个存储器单元的存储器单元阵列以及用于控制存储器单元阵列的操作的外围电路。

可使用连续执行的工艺来提供外围电路和存储器单元阵列。当连续地执行工艺时，后续工艺中生成的热可能导致已经形成的结构的缺陷。因此，半导体存储器装置的操作可靠性可能劣化。

发明内容

根据本公开的实施方式，可提供一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：绝缘层，其覆盖外围电路结构；接触结构，其在穿透绝缘层的同时连接到外围电路结构，该接触结构包括穿过绝缘层垂直突出的突出部分；第一导线，其包括围绕接触结构的突出部分并且位于接触结构的突出部分的顶部的弯曲部分；导电结合焊盘，其结合到第一导线的弯曲部分；以及存储器结构，其连接到导电结合焊盘。

根据本公开的实施方式，可提供一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：第一电路结构；第一导线，其连接到第一电路结构；第二导线，其面向第一导线；第二电路结构，其与第一电路结构交叠，并且第一导线和第二导线插置在第一电路结构和第二电路结构之间，第二电路结构连接到第二导线；以及第一结合结构，其设置在第一导线和第二导线之间，该第一结合结构配置有彼此结合的结合绝缘层，其中，第一导线和第二导线中的一个包括朝着第一导线和第二导线中的另一个突出的区域。

根据本公开的实施方式，可提供一种制造半导体存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：形成第一电路结构；在第一电路结构上形成绝缘层；形成在穿透绝缘层的同时连接到第一电路结构的接触结构，该接触结构包括在与朝着第一电路结构的方向相反的垂直方向上比绝缘层突出更远的突出部分；形成第一导线，该第一导线包括在绝缘层上的水平部分以及与接触结构的突出部分接触的弯曲部分，该弯曲部分在垂直方向上比水平部分突出更远；形成覆盖第一导线的水平部分的第一结合绝缘层；将第一结合绝缘层的表面平坦化，使得第一导线的弯曲部分暴露；形成半导体结构，该半导体结构包括第二电路结构、与第二电路结构接触的第二导线以及连接到第二导线的导电结合焊盘；以及将半导体结构的导电结合焊盘结合到弯曲部分。

附图说明

现在将在下文中参照附图描述例示性实施方式；然而，其它实施方式可采取不同的形式。因此，本教导的可能实施方式不应被解释为限于本文所阐述的特定实施方式。

在附图中，为了例示清晰，尺寸可能被夸大。将理解，当元件被称为在两个元件“之间”时，其可以是这两个元件之间的仅有元件，或者也可存在一个或更多个中间元件。相似的标号贯穿附图表示相似的元件。

图1是例示根据本公开的实施方式的半导体存储器装置的框图。

图2是例示根据本公开的实施方式的半导体存储器装置的存储器结构的立体图。

图3A和图3B是根据本公开的实施方式的半导体存储器装置的截面图。

图4A至图4G是例示根据本公开的实施方式的形成第一半导体结构的工艺的截面图。

图5A、图5B、图6A、图6B、图7A、图7B、图8A、图8B、图9A、图9B、图10A和图10B是例示根据本公开的实施方式的形成第二半导体结构的工艺的截面图。

图11A和图11B是例示根据本公开的实施方式的第一半导体结构和第二半导体结构的结合工艺的截面图。