[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具有：

半导体基板，其在俯视观察时包含设置有多个晶体管的有源区域和将所述有源区域包围的配线区域；

多个沟槽栅极，它们从所述半导体基板的表面的所述有源区域延伸至所述配线区域，在所述有源区域形成所述多个晶体管的一部分；以及

栅极电极，其设置于所述配线区域，与所述多个沟槽栅极电连接，

所述多个沟槽栅极各自的端部位于所述配线区域，

所述栅极电极以将在所述多个沟槽栅极各自的所述端部形成的栅极接触部覆盖的方式设置，经由所述栅极接触部而与所述多个沟槽栅极各自电连接，

所述多个沟槽栅极仅沿所述半导体基板的所述表面的一个方向延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述多个沟槽栅极各自的所述端部处的沟槽宽度比所述有源区域的沟槽宽度宽，

所述多个沟槽栅极各自包含所述配线区域的所述沟槽宽度随着接近所述端部而逐渐变宽的过渡区域，

所述过渡区域的所述沟槽宽度的扩展角相对于所述多个沟槽栅极的延伸方向即所述一个方向来说小于45度。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述多个沟槽栅极各自包含：

栅极绝缘膜，其沿着在所述半导体基板形成的沟槽的内壁而设置；以及

栅极导电部，其隔着所述栅极绝缘膜而设置于所述沟槽的内部，

所述栅极接触部形成于所述栅极导电部之上，

所述过渡区域以及所述端部处的所述栅极绝缘膜的厚度比所述有源区域的所述栅极绝缘膜的厚度厚。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

还具有：

至少1个哑沟槽栅极，其设置于所述半导体基板的所述表面的所述有源区域；以及

发射极电极，其设置于所述有源区域，

所述半导体基板在所述有源区域内包含：

第1有源区域，其在所述半导体基板的所述表面沿着所述多个沟槽栅极的延伸方向即所述一个方向而选择性地配置第1导电型的发射极层和第2导电型的基极层；以及

第2有源区域，其在所述半导体基板的所述表面配置所述基极层而不配置所述发射极层，

从所述第1有源区域的所述半导体基板的所述表面起沿深度方向设置有所述发射极层和所述基极层，

从所述第2有源区域的所述半导体基板的所述表面起沿深度方向设置有所述基极层而不设置所述发射极层，

所述多个沟槽栅极设置于所述第1有源区域，并且将所述发射极层和所述基极层贯通，

所述多个沟槽栅极的侧壁与所述发射极层、所述基极层接触，

所述至少1个哑沟槽栅极设置于所述第2有源区域，并且将所述基极层贯通，

所述至少1个哑沟槽栅极的侧壁与所述基极层接触而不与所述发射极层接触，

所述发射极电极以将在所述至少1个哑沟槽栅极的端部形成的哑接触部和在所述发射极层之上形成的发射极接触部覆盖的方式设置，经由所述哑接触部而与所述至少1个哑沟槽栅极电连接，经由所述发射极接触部而与所述发射极层电连接。