[发明专利]半导体装置、影像感测器及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

一基板；

一像素区，设置于该基板中；

一隔离区，设置于该基板中且邻近该像素区内，其中该隔离区包含一晶种区，该晶种区包含一第一半导体材料；以及

一异质层，位于该晶种区上，其中该异质层包含一第二半导体材料，该第二半导体材料具有与该第一半导体材料不同的晶格常数。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中：

应变、缺陷以及差排源自于该异质层内，并止于该异质层与隔离区之间的异质界面。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该异质层提供该基板中金属离子、点缺陷或杂质中的至少一种的吸集。

4.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：

一沟槽隔离，延伸至该异质层中，其中该沟槽隔离包含氧化物材料，并且该异质层设置于该隔离区中。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中该像素区包含：

一第一光感测区，设置于该基板中，并且包含一第一导电型的一第一掺质；以及

一第二光感测区，设置于该第一光感测区上，并且包含一第二导电型的一第二掺质。

6.一种影像感测器，包括多个像素单元的每一个，其中所述多个像素单元包含：

一基板；

一像素区，设置于该基板中；

一隔离区，位于该像素区上，其中该隔离区包含一第一半导体材料；以及

一异质层，位于该隔离区上，其中该异质层包含一第二半导体材料，并且该第一半导体材料以及该第二半导体材料之间具有晶格失配。

7.一种形成半导体装置的方法，该方法包括至少一像素单元，所述方法包括：

提供一基板，包含一第一半导体材料；

形成一像素区于该基板内；

形成一沟槽延伸至该基板内以及该像素区的附近内；以及

磊晶生成一异质层于该沟槽的一底面上，其中该异质层包含第二半导体材料，该第二半导体材料具有与第一半导体材料不同的晶格常数。

8.如权利要求7所述的形成半导体装置的方法，还包括掺杂该基板以形成位于该基板以及邻近该像素区的一隔离区，其中：

该沟槽形成于该隔离区内；

该异质层提供该基板中金属离子、点缺陷或杂质中的至少一种的吸集；以及

该隔离区用于将该异质层与该基板中产生的电荷载体进行隔离。

9.如权利要求7所述的形成半导体装置的方法，其中磊晶生成该异质层包含：

磊晶生成位于沟槽中具有掺质的该第二半导体材料。

10.如权利要求7所述的形成半导体装置的方法，还包括设置一氧化物材料于该异质层上，以于该沟槽内形成一沟槽隔离结构。