[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法

权利要求书

1.一种有源矩阵基板，具有包含多个像素区域的显示区域和设置在上述显示区域的周边的非显示区域，其特征在于，具备：

基板；以及

多个氧化物半导体TFT，其支撑于上述基板，设置在上述显示区域或上述非显示区域，上述多个氧化物半导体TFT各自具有氧化物半导体层和隔着栅极绝缘层配置在上述氧化物半导体层的一部分上的栅极电极，

上述氧化物半导体层包含隔着上述栅极绝缘层由上述栅极电极覆盖的第1区域，

上述多个氧化物半导体TFT包含第1TFT和第2TFT，

在上述第1TFT中，上述氧化物半导体层的上述第1区域在整个范围内具有：层叠结构，其包含下部氧化物半导体膜、以及配置在上述下部氧化物半导体膜之上的上部氧化物半导体膜，上述上部氧化物半导体膜的迁移率高于上述下部氧化物半导体膜的迁移率，

在上述第2TFT中，上述氧化物半导体层的上述第1区域的至少一部分包含上述下部氧化物半导体膜和上述上部氧化物半导体膜中的一方氧化物半导体膜，并且不包含另一方氧化物半导体膜。

2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其中，

上述第2TFT中的上述第1区域的上述至少一部分包含上述下部氧化物半导体膜，而不包含上述上部氧化物半导体膜。

3.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其中，

上述第2TFT中的上述第1区域的上述至少一部分包含上述上部氧化物半导体膜，而不包含上述下部氧化物半导体膜。

4.一种有源矩阵基板，具有包含多个像素区域的显示区域和设置在上述显示区域的周边的非显示区域，其特征在于，具备：

基板；以及

多个氧化物半导体TFT，其支撑于上述基板，设置在上述显示区域或上述非显示区域，上述多个氧化物半导体TFT各自具有：氧化物半导体层；隔着栅极绝缘层配置在上述氧化物半导体层的一部分上的栅极电极；以及源极电极和漏极电极，

上述氧化物半导体层包含隔着上述栅极绝缘层由上述栅极电极覆盖的第1区域、以及位于上述第1区域的两侧的第1接触区域和第2接触区域，上述第1接触区域电连接到上述源极电极，上述第2接触区域电连接到上述漏极电极，

上述多个氧化物半导体TFT包含第1TFT和第2TFT，

在上述第1TFT中，上述氧化物半导体层的上述第1区域在整个范围内具有：层叠结构，其包含下部氧化物半导体膜、以及配置在上述下部氧化物半导体膜上的上部氧化物半导体膜，上述上部氧化物半导体膜和上述下部氧化物半导体膜的迁移率相互不同，

在上述第2TFT中，上述氧化物半导体层的上述第1接触区域和上述第2接触区域具有上述层叠结构，但上述第1区域的至少一部分包含上述下部氧化物半导体膜和上述上部氧化物半导体膜中的一方氧化物半导体膜，并且不包含另一方氧化物半导体膜。

5.根据权利要求4所述的有源矩阵基板，其中，

上述第2TFT中的上述第1区域的上述至少一部分包含上述下部氧化物半导体膜，而不包含上述上部氧化物半导体膜。

6.根据权利要求4所述的有源矩阵基板，其中，

上述第2TFT中的上述第1区域的上述至少一部分包含上述上部氧化物半导体膜，而不包含上述下部氧化物半导体膜。

7.根据权利要求4至6中的任意一项所述的有源矩阵基板，其中，

在上述第2TFT中，上述氧化物半导体层的上述第1区域的一部分具有上述层叠结构，另一部分包含上述一方氧化物半导体膜，并且不包含上述另一方氧化物半导体膜。

8.根据权利要求4至6中的任意一项所述的有源矩阵基板，其中，

在上述第2TFT中，上述氧化物半导体层的上述第1区域的整个范围包含上述一方氧化物半导体膜，并且不包含上述另一方氧化物半导体膜。

9.根据权利要求4至8中的任意一项所述的有源矩阵基板，其中，

上述上部氧化物半导体膜的迁移率高于上述下部氧化物半导体膜的迁移率。