[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法

说明书

提供具备具有顶栅结构并且特性相互不同的多个氧化物半导体TFT的有源矩阵基板。一种有源矩阵基板，具备分别具有氧化物半导体层和隔着栅极绝缘层配置在氧化物半导体层的一部分上的栅极电极的第1TFT和第2TFT，在第1TFT中，氧化物半导体层中的隔着栅极绝缘层由栅极电极覆盖的第1区域在整个范围内具有包含下部氧化物半导体膜和上部氧化物半导体膜的层叠结构，上部氧化物半导体膜的迁移率高于下部氧化物半导体膜的迁移率，在第2TFT中，氧化物半导体层的第1区域的至少一部分包含下部氧化物半导体膜和上部氧化物半导体膜中的一方氧化物半导体膜，并且不包含另一方氧化物半导体膜。

技术领域

本发明涉及有源矩阵基板及其制造方法。

背景技术

液晶显示装置、有机电致发光(EL)显示装置等所使用的有源矩阵基板具有：显示区域，其具有多个像素；以及显示区域以外的区域(非显示区域或边框区域)。在显示区域中，按每个像素具备薄膜晶体管(Thin Film Transistor；以下，称为“TFT”)等开关元件。作为这种开关元件，以往以来，已广泛使用以非晶硅膜为活性层的TFT(以下，称为“非晶硅TFT”)、以多晶硅膜为活性层的TFT(以下，称为“多晶硅TFT”)。

作为TFT的活性层的材料，已提出使用氧化物半导体来代替非晶硅、多晶硅。将这种TFT称为“氧化物半导体TFT”。氧化物半导体具有比非晶硅高的迁移率。因此，氧化物半导体TFT能比非晶硅TFT高速地动作。

TFT的结构大体分为底栅结构和顶栅结构。当前，氧化物半导体TFT多采用底栅结构，但也提出了使用顶栅结构(例如专利文献1)。在顶栅结构中，能够使栅极绝缘层变薄，因此能得到高的电流供应性能。

在有源矩阵基板的非显示区域，有时会单片(一体)地形成驱动电路等周边电路。通过单片地形成驱动电路，实现非显示区域的窄小化、安装工序简化所带来的成本降低。例如，在非显示区域中，有时会单片地形成栅极驱动器电路，以COG(Chip on Glass：玻璃上芯片)方式安装源极驱动器电路。

在智能手机等窄边框化要求高的设备中，有时不仅单片地形成栅极驱动器而且还单片地形成源极切换(Source Shared Driving：SSD；源极共享驱动)电路等多路分配电路。SSD电路是从来自源极驱动器的各端子的1个视频信号线向多个源极配线分派视频数据的电路。通过搭载SSD电路，能够使非显示区域中的配置端子部和配线的区域(端子部/配线形成区域)更窄。另外，来自源极驱动器的输出数量减少，能够减小电路规模，因此能够降低驱动器IC的成本。

驱动电路、SSD电路等周边电路包含TFT。在本说明书中，将在显示区域的各像素中作为开关元件配置的TFT称为“像素TFT”，将构成周边电路的TFT称为“电路TFT”。另外，将电路TFT中的构成驱动电路的TFT称为“驱动电路用TFT”，构成SSD电路的TFT称为“SSD电路用TFT”。

在将氧化物半导体TFT用作像素TFT的有源矩阵基板中，从制造工艺的观点来看，优选电路TFT也与像素TFT使用相同的氧化物半导体膜并且利用共同的工艺来形成。因此，电路TFT和像素TFT通常具有相同的结构。这些TFT的特性也大致相同。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2015-109315号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，像素TFT与电路TFT所要求的特性分别不同。另外，即使在电路TFT之中，例如对于驱动电路用TFT与SSD电路用TFT，所要求的特性也是不同的。近年来，单片地形成于有源矩阵基板的周边电路的种类在增加，伴随于此，电路TFT所要求的性能进一步多样化。