[发明专利]一种铜靶材侧边的抛光方法

说明书

本发明提供了一种铜靶材侧边的抛光方法，所述抛光方法包括以下步骤：采用手持抛光设备对铜靶材的侧边进行半自动抛光处理；所述半自动抛光处理包括三道抛光工序，依次为第一道抛光工序、第二道抛光工序和第三道抛光工序；每一道抛光工序的给进速度依次递减。本发明提供的抛光方法彻底去除了靶材侧边因焊接高温形成的氧化物，从而避免了溅射过程中氧化物对镀膜质量的不利影响。

技术领域

本发明属于半导体制造技术领域，涉及一种抛光方法，尤其涉及一种铜靶材侧边的抛光方法。

背景技术

溅射镀膜是当前半导体制造领域中新型的物理气相镀膜方式，具体工作原理为：在被溅射的靶极与阳极之间施加正交磁场和电场，并在高真空室内充入惰性气体；在电场作用下，惰性气体被电离成正离子和电子，通过在靶极施加一定的负高压，从靶材发出的电子受磁场作用与工作气体的电离几率增大，从而在阴极附近形成高密度的等离子体；惰性气体离子在洛伦兹力作用下加速飞向靶材的溅射面，使得靶材上被溅射出的原子以较高的动能脱离溅射面飞向基片淀积成膜。

在靶材制造过程中，特别是对于铜靶材，在其与背板焊接之后，铜靶材侧边因焊接高温发生严重氧化，若不及时进行处理，该氧化物会对镀膜质量造成严重不利影响。

CN 111975465A公开了一种钼靶材溅射面的抛光工艺，所述抛光工艺包括依次进行的第一机械抛光、第二机械抛光、第三机械抛光及第四机械抛光；所述第一机械抛光中的进给速度为2-3m/min；所述第二机械抛光中的进给速度为4-5m/min；所述第三机械抛光中的进给速度为6-8m/min；所述第四机械抛光中的进给速度为7-9m/min。所述发明通过对钼靶材溅射面抛光工艺的设置实现了抛光后的靶材表面应力分布均匀，溅射过程中靶材损耗均匀，同时也使粗糙度稳定在0.5-0.7μm，保证了产品的稳定性。然而所述发明并未对靶材侧边进行抛光处理，且所述抛光工艺仅适用于钼靶材。

由此可见，如何提供一种铜靶材侧边的抛光方法，彻底去除靶材侧边因焊接高温形成的氧化物，从而避免溅射过程中氧化物对镀膜质量的不利影响，成为了目前本领域技术人员迫切需要解决的问题。

发明内容

针对现有技术存在的不足，本发明的目的在于提供一种铜靶材侧边的抛光方法，所述抛光方法彻底去除了靶材侧边因焊接高温形成的氧化物，从而避免了溅射过程中氧化物对镀膜质量的不利影响。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

本发明提供一种铜靶材侧边的抛光方法，所述抛光方法包括以下步骤：

采用手持抛光设备对铜靶材的侧边进行半自动抛光处理。

所述半自动抛光处理包括三道抛光工序，依次为第一道抛光工序、第二道抛光工序和第三道抛光工序。

每一道抛光工序的给进速度依次递减。

本发明采用手持抛光设备对铜靶材的侧边进行半自动抛光处理，相较于传统采用的手工砂纸打磨，节省了人力物力，提升了加工效率，且减少了使用大型抛光设备的成本投入；此外，分段式抛光工序提高了抛光精度，有利于根据实际情况适时调整抛光条件，达到了彻底去除靶材侧边氧化物的目的，从而避免了溅射过程中氧化物对镀膜质量的不利影响。

优选地，所述半自动抛光处理之前还包括将铜靶材与背板进行焊接处理。

优选地，所述背板包括不锈钢背板。

本发明将抛光处理设置在焊接处理之后，便于及时去除靶材侧边因焊接高温形成的氧化物。

优选地，所述铜靶材包括方形铜靶材、圆形铜靶材或环形铜靶材中的任意一种。

优选地，所述手持抛光设备为手枪钻。

优选地，所述手枪钻的头部安装有抛光轮。

优选地，所述抛光轮的表面设置有百洁布。