[发明专利]一种阶梯栅介质层结构及其制造方法

权利要求书

1.一种阶梯栅介质层结构，其特征在于，包括N+衬底(1)、N-外延层(2)、P-body扩散窗口(3)、N_+JFET扩散窗口(4)、栅介质层(5)、栅极多晶硅(6)和栅源隔离层(9)；N-外延层(2)设置在N+衬底(1)上，N-外延层(2)的两侧分别设置有P-body扩散窗口(3)，两个P-body扩散窗口(3)之间设置有N+JFET扩散窗口(4)，P-body扩散窗口(3)和N+JFET扩散窗口(4)上的纵向方向设置有栅介质层(5)，栅介质层(5)上自下而上依次设置有栅极多晶硅(6)和栅源隔离层(9)；栅介质层(5)为阶梯结构。

2.根据权利要求1所述的一种阶梯栅介质层结构，其特征在于，栅介质层(5)设置有源N+扩散窗口(7)和源P+扩散窗口(8)，源N+扩散窗口(7)、源P+扩散窗口(8)和源极金属连接构成源极，栅极金属与栅极多晶硅(6)连接构成栅极，漏极金属与N+衬底(1)连接构成漏极。

3.根据权利要求1所述的一种阶梯栅介质层结构，其特征在于，栅介质层(5)按栅介质层生长工艺条件，栅介质层(5)的厚度分为两部分，N_+JFET扩散窗口(4)上的栅介质层厚度为而P-body扩散窗口(3)上的栅介质层厚度为

4.根据权利要求1所述的一种阶梯栅介质层结构，其特征在于，栅介质层(5)长度为4μm～5μm。

5.根据权利要求1所述的一种阶梯栅介质层结构，其特征在于，N_+JFET扩散窗口(4)在两个P-body扩散窗口(3)之间，长度为1.2μm～1.6μm；栅极多晶硅(6)的长度为4μm～5μm，厚度为

6.根据权利要求2所述的一种阶梯栅介质层结构，其特征在于，源N+扩散窗口(7)的长度为1.2μm～1.5μm；源P+扩散窗口(8)的长度为2μm～3μm；栅源隔离层(9)的长度为6μm～7μm，厚度为0.8μm～1.2μm；N+衬底(1)尺寸为8μm～10μm；P-body扩散窗口(3)的长度为3.6μm～4μm。

7.一种阶梯栅介质层结构的制造方法，其特征在于，基于权利要求1至6任意一项所述的一种阶梯栅介质层结构，包括以下步骤：

在P-body注入、扩散之后，栅介质层生长之前，N_+JFET注入及退火工艺，具体工艺制造流程为：牺牲氧化层生长→P-body区光刻→P-body注入→去胶→P-body扩散→N_+JFET区光刻→N_+JFET注入→去胶→N_+JFET激活→去牺牲氧化层。

8.根据权利要求7所述的一种阶梯栅介质层结构的制造方法，其特征在于，N_+JFET扩散窗口工艺参数为：注入材料AsH3，注入剂量1e15～1.5e15，注入能量80Kev～90Kev，激活温度850℃～900℃，激活时间10min～15min。