[发明专利]半导体装置和电子设备在审
申请号: | 202110762936.8 | 申请日: | 2016-02-12 |
公开(公告)号: | CN113658966A | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
发明(设计)人: | 铃木丽菜;松沼健司;城直树;香川恵永 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 李晗;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 电子设备 | ||
1.一种半导体装置,其包括:
像素区域,所述像素区域包括多个光电转换区域;
信号处理电路;
第一配线层,所述第一配线层包括第一多个配线和第二多个配线;以及
第二配线层,所述第二配线层包括第三多个配线和第四多个配线,
其中,所述多个光电转换区域的第一光电转换区域通过所述第一多个配线的第一配线和所述第三多个配线的第一配线电连接至所述信号处理电路的一部分,
所述第一多个配线的所述第一配线和所述第三多个配线的所述第一配线彼此接合,
所述第二多个配线和所述第四多个配线在所述像素区域中以预定间距布置,并且
在剖视图中,所述第一多个配线的所述第一配线的中心、所述第三多个配线的所述第一配线的中心和浮动扩散区的触点的中心在光入射方向上重叠。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述像素区域的第一接合面与所述像素区域的第二接合面相对,且
所述第二多个配线布置在所述第一接合面上的第一伪配线的图案与所述第四多个配线布置在所述第二接合面上的第二伪配线的图像大致上相同。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述像素区域的第一接合面与所述像素区域的第二接合面相对,且
所述第二多个配线布置在所述第一接合面上的第一伪配线的图案不同于所述第四多个配线布置在所述第二接合面上的第二伪配线的图像。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,多个像素共用所述浮动扩散区的所述触点。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,多个像素共用所述浮动扩散区。
6.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述像素区域包括以预定单位周期性地重复布置的电连接配线。
7.根据权利要求6所述的半导体装置,其中,所述第二多个配线的第一伪配线和所述第四多个配线的第二伪配线布置为对应于所述浮动扩散区。
8.根据权利要求7所述的半导体装置,其中,所述浮动扩散区被多个芯片的像素的所述预定单元共用。
9.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述第一多个配线的真实配线布置在所述像素区域的接合面上,所述真实配线与伪配线具有与预定单位相对应的间距,其中,所述真实布线传输像素信号。
10.根据权利要求1所述的半导体装置,其还包括施加有预定电压的电极,其中,所述第二多个配线布置在所述像素区域的接合面上的伪配线固定为所述预定电压,其中,所述预定电压从所述电极施加至所述第二多个配线的所述伪配线。
11.一种电子设备,其包括半导体装置,所述半导体装置包括:
像素区域,所述像素区域包括多个光电转换区域;
信号处理电路;
第一配线层,所述第一配线层包括第一多个配线和第二多个配线;以及
第二配线层,所述第二配线层包括第三多个配线和第四多个配线,
其中,所述多个光电转换区域的第一光电转换区域通过所述第一多个配线的第一配线和所述第三多个配线的第一配线电连接至所述信号处理电路的一部分,
所述第一多个配线的所述第一配线和所述第三多个配线的所述第一配线彼此接合,
所述第二多个配线和所述第四多个配线在所述像素区域中以预定间距布置,并且
在剖视图中,所述第一多个配线的所述第一配线的中心、所述第三多个配线的所述第一配线的中心和浮动扩散区的触点的中心在光入射方向上重叠。
12.根据权利要求11所述的电子设备,其中,所述像素区域的第一接合面与所述像素区域的第二接合面相对,且
所述第二多个配线布置在所述第一接合面上的第一伪配线的图案与所述第四多个配线布置在所述第二接合面上的第二伪配线的图像大致上相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的