[发明专利]相变存储器及其制作方法

权利要求书

1.一种相变存储器的制作方法，其特征在于，包括：

由下至上依次形成层叠设置的第一导电层、第一电极层、第一功能层、第二电极层和第一牺牲层；

形成贯穿所述第一导电层、第一电极层、第一功能层、第二电极层和第一牺牲层的第一隔离结构；其中，所述第一隔离结构沿第一方向延伸；所述第一隔离结构将所述第一导电层分割成多条互相平行的第一地址线，将所述第一电极层、第一功能层、第二电极层和第一牺牲层分别分割成第一电极条、第一功能条、第二电极条和第一牺牲条；

形成贯穿所述第一牺牲条、第二电极条、第一功能条、第一电极条的第二隔离结构，所述第二隔离结构沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸，所述第二隔离结构将所述第一牺牲条分割成第一牺牲块；

去除所述第一牺牲块，形成第一沟槽；

在所述第一沟槽中形成第二功能层；

在所述第二功能层上依次形成层叠设置的第三电极层和第二导电层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在形成所述第二隔离结构之前，形成贯穿所述第一牺牲条的第三隔离结构；其中，所述第二隔离结构贯穿所述第三隔离结构。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在形成第一隔离结构后，在所述第一牺牲条上形成第二牺牲层；

所述形成贯穿所述第一牺牲条的第三隔离结构，包括：

形成贯穿所述第一牺牲条和第二牺牲层的第三隔离结构；

形成贯穿所述第一牺牲条、第二电极条、第一功能条、第一电极条的第二隔离结构，包括：

形成贯穿所述第一牺牲条、第二牺牲层、第二电极条、第一功能条、第一电极条的第二隔离结构，所述第二隔离结构将所述第二牺牲层分割成第二牺牲条；

所述去除所述第一牺牲块形成第一沟槽，包括：

去除所述第一牺牲块，形成第一沟槽，并同时去除所述第二牺牲条形成第二沟槽；

所述在所述第一沟槽中形成第二功能层，包括：

在所述第一沟槽和所述第二沟槽中形成第二功能层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述形成贯穿所述第一牺牲条和所述第二牺牲层的第三隔离结构，包括：

形成贯穿所述第一牺牲条和所述第二牺牲层的第三沟槽；

至少在所述第三沟槽侧壁形成第一覆盖层，以形成所述第三隔离结构。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述形成贯穿所述第一牺牲条、第二牺牲层、第二电极条、第一功能条、第一电极条的第二隔离结构，包括：

在所述第三沟槽的底部形成贯穿所述第二电极条、第一功能条和第一电极条的第四沟槽；所述第三沟槽沿所述第一方向的宽度大于所述第四沟槽沿所述第一方向的宽度；

至少在所述第四沟槽侧壁及第一覆盖层的表面形成第二覆盖层，以形成所述第二隔离结构。

6.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

形成贯穿所述第三电极层和第二导电层的第四隔离结构；其中，所述第四隔离结构沿所述第二方向延伸；所述第四隔离结构将所述第二导电层分割成多条互相平行的第二地址线；所述第一隔离结构、第二隔离结构、第三隔离结构和第四隔离结构将所述第一电极层、第一功能层、第二电极层、第二功能层、第三电极层分割成多个第一电极、第一功能元件、第二电极、第二功能元件、第三电极。