[发明专利]相变存储器及其制作方法

说明书

本公开实施例公开了一种相变存储器及其制作方法，包括：由下至上依次形成层叠设置的第一导电层、第一电极层、第一功能层、第二电极层和第一牺牲层；形成贯穿第一导电层、第一电极层、第一功能层、第二电极层和第一牺牲层的第一隔离结构；其中，第一隔离结构沿第一方向延伸；形成贯穿第一牺牲条、第二电极条、第一功能条、第一电极条的第二隔离结构，第二隔离结构沿垂直于第一方向的第二方向延伸；去除第一牺牲块，形成第一沟槽；在第一沟槽中形成第二功能层；在第二功能层上依次形成层叠设置的第三电极层和第二导电层。

技术领域

本公开实施例涉及半导体技术领域，特别涉及一种相变存储器及相变存储器的制作方法。

背景技术

相变存储器作为一种新兴的非易失性存储器件，在读写速度、读写次数、数据保持时间、单元面积、多值实现等诸多方面相对快闪存储器均具备较大的优越性。

然而，随着相变存储器的发展，相变存储单元中的元件在形成时还存在诸多问题。

发明内容

本公开实施例提供一种相变存储器及相变存储器的制作方法。

根据本公开实施例的第一方面，提供一种相变存储器的制作方法，包括：

由下至上依次形成层叠设置的第一导电层、第一电极层、第一功能层、第二电极层和第一牺牲层；

形成贯穿所述第一导电层、第一电极层、第一功能层、第二电极层和第一牺牲层的第一隔离结构；其中，所述第一隔离结构沿第一方向延伸；所述第一隔离结构将所述第一导电层分割成多条互相平行的第一地址线，将所述第一电极层、第一功能层、第二电极层和第一牺牲层分别分割成第一电极条、第一功能条、第二电极条和第一牺牲条；

形成贯穿所述第一牺牲条、第二电极条、第一功能条、第一电极条的第二隔离结构，所述第二隔离结构沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸，所述第二隔离结构将所述第一牺牲条分割成第一牺牲块；

去除所述第一牺牲块，形成第一沟槽；

在所述第一沟槽中形成第二功能层；

在所述第二功能层上依次形成层叠设置的第三电极层和第二导电层。

上述方案中，所述方法还包括：

在形成所述第二隔离结构之前，形成贯穿所述第一牺牲条的第三隔离结构；其中，所述第二隔离结构贯穿所述第三隔离结构。

上述方案中，所述方法还包括：

在形成第一隔离结构后，在所述第一牺牲条上形成第二牺牲层；

所述形成贯穿所述第一牺牲条的第三隔离结构，包括：

形成贯穿所述第一牺牲条和第二牺牲层的第三隔离结构；

形成贯穿所述第一牺牲条、第二电极条、第一功能条、第一电极条的第二隔离结构，包括：

形成贯穿所述第一牺牲条、第二牺牲层、第二电极条、第一功能条、第一电极条的第二隔离结构，所述第二隔离结构将所述第二牺牲层分割成第二牺牲条；

所述去除所述第一牺牲块形成第一沟槽，包括：

去除所述第一牺牲块，形成第一沟槽，并同时去除所述第二牺牲条形成第二沟槽；

所述在所述第一沟槽中形成第二功能层，包括：

在所述第一沟槽和所述第二沟槽中形成第二功能层。

上述方案中，所述形成贯穿所述第一牺牲条和所述第二牺牲层的第三隔离结构，包括：

形成贯穿所述第一牺牲条和所述第二牺牲层的第三沟槽；