[发明专利]一种MEMS麦克风及其制备方法在审
| 申请号： | 202110765967.9 | 申请日： | 2021-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN113395646A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 王琳琳;钟晓辉;屠兰兰 | 申请（专利权）人： | 瑞声声学科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04;H04R7/16;H04R31/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区高*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 麦克风 及其 制备 方法 | ||
1.一种MEMS麦克风，其包括具有背腔的基底和固定于所述基底上的电容系统，所述电容系统包括相互间隔设置的背板和振膜，其特征在于，所述振膜包括振动部以及自所述振动部向所述基底延伸并固定于所述基底的固定部，所述固定部沿所述振动部的振动方向贯穿设置有刻蚀辅助孔。
2.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述刻蚀辅助孔包括多个。
3.根据权利要求2所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述刻蚀辅助孔均匀设置于所述固定部上。
4.根据权利要求3所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述固定部包括多个，多个所述固定部关于所述振动部对称设置。
5.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述固定部沿所述振动部的振动方向的正投影落在所述基底上。
6.一种MEMS麦克风的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
选择基底，在所述基底的第一表面沉积第一氧化层；
在所述第一氧化层的表面沉积第一多晶硅层，并图形化所述第一多晶硅层以形成具有振动部以及固定部的振膜层；
图形化所述固定部以形成刻蚀辅助孔；
在所述振膜层结构的表面沉积第二氧化层；
在所述第二氧化层的表面沉积背板材质层；
图形化所述背板材质层以形成背板；
刻蚀释放所述基底以形成背腔；
继续刻蚀释放第一氧化层和所述第二氧化层。
7.根据权利要求6所述的MEMS麦克风的制备方法，其特征在于，所述刻蚀辅助孔与所述振膜层同时图形化形成。
8.根据权利要求7所述的MEMS麦克风的制备方法，其特征在于，所述第一氧化层和所述第二氧化层的材料为氧化硅，通过湿刻蚀的方法释放所述第一氧化层和第二氧化层。
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