[发明专利]隔离型NLDMOS器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110767262.0 | 申请日： | 2021-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN113611733A | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 段文婷;刘冬华 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 隔离 nldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种隔离型NLDMOS器件，其特征在于：
在P型半导体衬底上形成有一个N型掺杂的第一深阱离子注入区和多个N型掺杂的第二深阱离子注入区以及P型阱；
N+区组成的源区形成于所述P型阱的表面；
N+区组成的漏区形成于所述第一深阱离子注入区的表面；
在所述P型阱的表面上形成有栅极结构，所述栅极结构由栅介质层和多晶硅栅叠加而成，所述源区和所述栅极结构的第一侧面自对准；
所述第一深阱离子注入区和最靠近所述漏区的所述第二深阱离子注入区之间具有第一间距；
所述第一深阱离子注入区和各所述第二深阱离子注入区经过热推进后会整体连通并形成N型深阱；
由所述P型阱的第二侧面到所述漏区之间的所述N型深阱组成漂移区；
各所述第二深阱离子注入区之间具有第二间距且各所述第二深阱离子注入区形成的整体结构将所述P型阱包围；
通过设置所述第二间距来降低所述N型深阱对所述P型阱的P型浓度的影响并使所述P型阱的P型净掺杂浓度增加，以增强对所述漂移区的所述N型深阱的耗尽能力，并提高击穿电压。
2.如权利要求1所述的隔离型NLDMOS器件，其特征在于：所述第一深阱离子注入区和各所述第二深阱离子注入区的工艺条件相同。
3.如权利要求1所述的隔离型NLDMOS器件，其特征在于：所述第二深阱离子注入区的数量包括2个以上。
4.如权利要求3所述的隔离型NLDMOS器件，其特征在于：最靠近所述P型阱的第一侧面的所述第二深阱离子注入区需要将所述P型阱的第一侧面包覆；
最靠近所述P型阱的第二侧面的所述第二深阱离子注入区需要将所述P型阱的第二侧面包覆。
5.如权利要求3所述的隔离型NLDMOS器件，其特征在于：所述N型深阱实现所述P型阱和所述半导体衬底之间的隔离，所述第二间距的大小要求保证所述P型阱、所述N型深阱和所述半导体衬底之间的寄生PNP的穿通电压满足要求值。
6.如权利要求5所述的隔离型NLDMOS器件，其特征在于：所述第一间距也影响所述寄生PNP的穿通电压，在保证所述寄生PNP的穿通电压由所述第一间距确定的条件下设置所述第二间距，所述第二间距越大器件的击穿电压越大。
7.如权利要求1所述的隔离型NLDMOS器件，其特征在于：所述半导体衬底包括硅衬底。
8.如权利要求1所述的隔离型NLDMOS器件，其特征在于：在所述漂移区中还设置有漂移区场氧，所述漏区和所述漂移区场氧的第二侧面自对准；
所述栅极结构的第二侧面还延伸到所述漂移区场氧上。
9.如权利要求8所述的隔离型NLDMOS器件，其特征在于：在所述P型阱的表面上还形成有由P+区组成的体接触区；
所述体接触区和所述源区之间间隔有第二场氧。
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