[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上形成有若干分立的导电连接结构；在所述导电连接结构的侧壁上形成牺牲侧墙；在所述牺牲侧墙表面上形成外部侧墙材料层；对所述外部侧墙材料层进行穿孔处理，在所述外部侧墙材料层中形成暴露出牺牲侧墙表面的针孔；通过所述针孔去除所述牺牲侧墙，形成空气隙；形成封闭所述针孔的盖层。

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述外部侧墙材料层的材料与所述牺牲侧墙的材料不相同。

3.如权利要求1或2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述牺牲侧墙的材料为氧化物，所述外部侧墙材料层的材料为氮化物层、碳化物层或者碳氮化物层。

4.如权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述穿孔处理为离子注入，进行离子注入时，注入的离子通过轰击和/或化学反应的方式去除部分外部侧墙材料层，在所述外部侧墙材料层中形成暴露出牺牲侧墙表面的针孔。

5.如权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述牺牲侧墙的材料为氧化硅，所述外部侧墙材料层的材料为氮化硅。

6.如权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述离子注入注入的杂质离子为BF3或AsH3，注入能量为1KeV～10KeV，注入的角度为10°～45°。

7.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺通过所述针孔去除所述牺牲侧墙。

8.如权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述牺牲侧墙的材料为氧化硅，所述湿法刻蚀工艺采用的刻蚀溶液为氢氟酸溶液。

9.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述外部侧墙材料层除了形成在所述牺牲侧墙表面上，还形成在所述导电连接结构的顶部表面上。

10.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述外部侧墙材料层仅形成在所述牺牲侧墙表面上。

11.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述导电连接结构的侧壁上形成牺牲侧墙之前，还包括步骤：在所述导电连接结构的侧壁和顶部表面上形成内部侧墙材料层；在形成内部侧墙材料层后，在所述导电连接结构的侧壁上的内部侧墙材料层的表面形成牺牲侧墙。

12.如权利要求11所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述内部侧墙材料层的材料与所述牺牲侧墙的材料不相同。

13.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述外部侧墙材料层表面上和导电连接结构顶部表面上形成盖层，所述盖层封闭所述针孔。

14.如权利要求12所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺或等离子体增强化学气相沉积形成所述盖层。

15.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述导电连接结构为存储器的位线结构。

16.如权利要求14所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述半导体基底包括半导体衬底和位于半导体衬底上的底层介质层，所述半导体衬底中具有若干分立的有源区，每一个有源区中具有两个埋入式栅极；所述底层介质层中形成有与所述两个埋入式栅极之间的有源区连接的位线接触结构；所述底层介质层上形成有与相应的位线接触结构连接的位线结构。

17.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述导电连接结构为金属线互连结构、插塞结构、大马士革互连结构或栅极结构。