[发明专利]半导体器件及其形成方法

说明书

一种半导体器件及其形成方法，所述形成方法，在所述导电连接结构的侧壁上形成牺牲侧墙后，在所述牺牲侧墙表面上形成外部侧墙材料层；对所述外部侧墙材料层进行穿孔处理，在所述外部侧墙材料层中形成暴露出牺牲侧墙表面的针孔；通过所述针孔去除所述牺牲侧墙，形成空气隙；形成封闭所述针孔的盖层。由于外部侧墙材料层形成的针孔可以位于外部侧墙材料层中的多个位置，因而通过若干针孔，刻蚀溶液可以从多个位置对所述牺牲侧墙进行去除，从而可以很干净的去除所述牺牲侧墙，防止或减少牺牲侧墙材料的残留，进而增大形成的空气隙的大小，更有利于减小导电连接结构的寄生电容，提高器件的性能(比如DRAM的读写性能)。

技术领域

本发明涉及存储器领域，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。

背景技术

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管，晶体管的栅极与字线相连、漏区与位线相连、源极与电容器相连，字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。

为了提高存储结构的集成度，动态随机存取存储器(DRAM)中的晶体管通常采用沟槽型的晶体管结构。沟槽型的晶体管的具体结构一般包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底中的有源区；位于所述有源区中的至少一个沟槽，位于所述沟槽中的栅极；位于所述沟槽两侧的有源区的中漏区和至少一个源区。

现有DRAM的制作过程中，在形成沟道型晶体管后，还需要形成与若干晶体管中的漏区连接的位线接触区或位线接触结构(Bitline Contact，BLC)，以及形成与相应的位线接触区或位线接触结构连接的位线(BL)。

现有DRAM的位线与位线之间仍会存在较大的寄生电容，影响了DRAM的读写性能，因而如何减小位线与位线之间的寄生电容仍是本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题怎样减小位线与位线之间的寄生电容。

为此，本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括：

提供基底，所述基底上形成有若干分立的导电连接结构；

在所述导电连接结构的侧壁上形成牺牲侧墙；

在所述牺牲侧墙表面上形成外部侧墙材料层；

对所述外部侧墙材料层进行穿孔处理，在所述外部侧墙材料层中形成暴露出牺牲侧墙表面的针孔；

通过所述针孔去除所述牺牲侧墙，形成空气隙；

形成封闭所述针孔的盖层。

可选的，所述外部侧墙材料层的材料与所述牺牲侧墙的材料不相同。

可选的，所述牺牲侧墙的材料为氧化物，所述外部侧墙材料层的材料为氮化物层、碳化物层或者碳氮化物层。

可选的，所述穿孔处理为离子注入，进行离子注入时，注入的离子通过轰击和/或化学反应的方式去除部分外部侧墙材料层，在所述外部侧墙材料层中形成暴露出牺牲侧墙表面的针孔。

可选的，所述牺牲侧墙的材料为氧化硅，所述外部侧墙材料层的材料为氮化硅。

可选的，所述离子注入注入的杂质离子为BF₃或AsH₃，注入能量为1KeV～10KeV，注入的角度为10°～45°

可选的，采用湿法刻蚀工艺通过所述针孔去除所述牺牲侧墙。

可选的，所述牺牲侧墙的材料为氧化硅，所述湿法刻蚀工艺采用的刻蚀溶液为氢氟酸溶液。