[发明专利]一种功率器件的制备方法及功率器件在审
| 申请号： | 202110775340.1 | 申请日： | 2021-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN113658866A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 蔡政原 | 申请（专利权）人： | 深圳天狼芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 阳方玉 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 制备 方法 | ||
1.一种功率器件的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成外延层；
对所述外延层依次进行沟道掺杂和源极掺杂；
对掺杂后的器件进行刻蚀形成沟槽；
其中，所述沟道掺杂区位于所述源极掺杂区与所述外延层之间，所述沟槽的深度大于掺杂区的深度。
2.如权利要求1所述的功率器件的制备方法，其特征在于，所述对所述外延层依次进行沟道掺杂和源极掺杂，包括：
对所述外延层进行第一半导体元素注入，形成沟道掺杂区；
对所述沟道掺杂区进行第二半导体元素注入，形成源极掺杂区；
其中，所述第二半导体注入的深度小于所述第一半导体注入的深度，所述第一半导体元素为P型元素，所述第二半导体元素为N型元素；或者所述第一半导体元素为N型元素，所述第二半导体元素为P型元素。
3.如权利要求2所述的功率器件的制备方法，其特征在于，所述第二半导体注入的深度小于所述第一半导体注入的深度。
4.如权利要求2所述的功率器件的制备方法，其特征在于，所述第二半导体元素的注入浓度大于所述第一半导体元素的注入浓度。
5.如权利要求1所述的功率器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
对所述沟槽进行氧化处理，形成闸极氧化层；
在所述沟槽内填充多晶硅，形成闸极。
6.如权利要求5所述的功率器件的制备方法，其特征在于，所述对所述沟槽进行氧化处理，包括：
通过对所述沟槽热氧化处理，将所述沟槽内表面的多晶硅氧化，以形成闸极氧化层。
7.如权利要求5所述的功率器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
在所述多晶硅上形成绝缘氧化层。
8.如权利要求7所述的功率器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
通过刻蚀形成源极接触孔；
对所述接触孔进行离子注入。
9.如权利要求8所述的功率器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
在所述绝缘氧化层上形成金属层，所述金属层与所述源极掺杂区连接。
10.一种功率器件，其特征在于，所述功率器件由如权利要求1-9任一项所述的功率器件的制备方法制备所得。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
