[发明专利]半导体存储器件

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

在衬底上的第一堆叠结构，所述第一堆叠结构包括单元区域和在第一方向上延伸的第一阶梯部分；

在所述第一堆叠结构上的第二堆叠结构，所述第二堆叠结构包括在所述第一方向上延伸的第二阶梯部分，所述第二阶梯部分在第二方向上与所述第一阶梯部分至少部分地重叠；

在所述第一阶梯部分和所述第二阶梯部分上的第一接触插塞，所述第一接触插塞穿透所述第一堆叠结构和所述第二堆叠结构并在所述第二方向上延伸，其中所述第一接触插塞电连接到所述第一堆叠结构并且不电连接到所述第二堆叠结构；以及

在所述第一阶梯部分和所述第二阶梯部分上的第二接触插塞，所述第二接触插塞穿透所述第一堆叠结构和所述第二堆叠结构并在所述第二方向上延伸，其中所述第二接触插塞电连接到所述第二堆叠结构并且不电连接到所述第一堆叠结构。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述衬底包括第一表面和相反的第二表面，所述第一堆叠结构设置在所述第二表面上，

所述第一堆叠结构包括在所述第二方向上堆叠的第一电极垫，

所述第二堆叠结构包括在所述第二方向上堆叠的第二电极垫，

所述第一接触插塞连接到所述第一电极垫当中的从所述第二表面在所述第二方向上堆叠在第n位置的第一电极垫，以及

所述第二接触插塞连接到所述第二电极垫当中的从所述第二表面在所述第二方向上堆叠在第n位置的第二电极垫。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中所述第一接触插塞包括在所述第一方向上间隔开的第一子接触插塞，

所述第二接触插塞包括在所述第一方向上间隔开的第二子接触插塞，以及

所述第一子接触插塞当中的连接到堆叠在所述第n位置的所述第一电极垫的第一子接触插塞最靠近所述第二子接触插塞当中的连接到堆叠在所述第n位置的所述第二电极垫的第二子接触插塞。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第一堆叠结构包括在所述第二方向上堆叠的第一电极垫，

所述第二堆叠结构包括在所述第二方向上堆叠的第二电极垫，

所述第一接触插塞包括在所述第一方向上间隔开的第一子电极插塞，

所述第二接触插塞包括在所述第二方向上间隔开的第二子电极插塞，

每个所述第一电极垫电连接到穿透所述第一电极垫的所述第一子电极插塞当中的最外面的第一子电极插塞，以及

每个所述第二电极垫电连接到穿透所述第二电极垫的所述第二子电极插塞当中的最外面的第二子电极插塞。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第一堆叠结构包括在所述第二方向上堆叠的第一电极垫，

所述第二堆叠结构包括在所述第二方向上堆叠的第二电极垫，以及

所述第二电极垫当中的最下面的第二电极垫比所述第一电极垫当中的最上面的第一电极垫在所述第一方向上延伸得更远。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第一堆叠结构包括在所述第二方向上堆叠的第一电极垫，

所述第二堆叠结构包括在所述第二方向上堆叠的第二电极垫，

所述第一接触插塞在穿透所述第一电极垫的同时连接到其中最上面的第一电极垫，以及

所述第二接触插塞在穿透所述第二电极垫的同时连接到其中最上面的第二电极垫。

7.根据权利要求6所述的半导体存储器件，其中每个所述第一电极垫包括第一导电区域和第一绝缘区域，

每个所述第二电极垫包括第二导电区域和第二绝缘区域，

所述第一接触插塞穿透所述最上面的第一电极垫中包括的第一导电区域和设置在所述最上面的第一电极垫下面的所述第一电极垫中包括的第一绝缘区域，以及

所述第二接触插塞穿透所述最上面的第二电极垫中包括的第二导电区域和设置在所述最上面的第二电极垫下面的所述第二电极垫中包括的第二绝缘区域。