[发明专利]包括位线感测放大器的存储器装置及其操作方法

说明书

公开了一种存储器装置及其操作方法。该存储器装置包括：位线感测放大器，其连接到与存储器单元连接的位线和互补位线；以及感测放大器驱动器电路。位线感测放大器通过发展位线的电压和互补位线的电压来感测并放大电压差。感测放大器驱动器电路包括：上拉电路，其响应于第一上拉脉冲将由位线感测放大器发展的位线低电平电压的电平调节为高于接地电压；以及下拉电路，其响应于下拉脉冲将由上拉电路调节的位线低电平的电平调节为等于接地电压。脉冲生成器基于从主机接收的命令来生成第一上拉脉冲和下拉脉冲。

相关申请的交叉引用

本申请要求2020年7月17日提交于韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2020-0088720的优先权，其公开内容整体以引用方式并入本文中。

技术领域

本文所描述的发明构思的实施例涉及存储器装置及其操作方法，更具体地，涉及一种包括位线感测放大器的存储器装置及其操作方法。

背景技术

包括在被实现为动态随机存取存储器(DRAM)的存储器装置中的存储器单元阵列可通过位线和互补位线连接到位线感测放大器。位线感测放大器可感测位线和互补位线之间的电压差，并且可放大所感测的电压差。可基于位线感测放大器的感测和放大操作来读取存储在存储器单元阵列中的数据。

当位线感测放大器感测位线和互补位线之间的电压差时，在不是感测目标的存储器单元处可能出现噪声。该噪声可能导致不是感测目标的存储器单元中所存储的数据中的错误。如此，DRAM的可靠性会降低。

发明内容

本发明构思的实施例提供了一种包括位线感测放大器的存储器装置及其操作方法。

根据示例性实施例，一种存储器装置可包括：位线感测放大器，其连接到与存储器单元连接的位线和互补位线，并且感测并放大位线的电压和互补位线的电压之间的差；以及感测放大器驱动器电路。感测放大器驱动器电路可响应于从主机接收的命令而将位线感测放大器的位线低电平电压的电平调节为高于接地电压的电平。

根据示例性实施例，一种存储器装置可包括：位线感测放大器，其连接到与存储器单元连接的位线和互补位线，并且感测并放大存储在存储器单元中的数据；以及感测放大器驱动器电路。感测放大器驱动器电路可基于从主机接收的命令来生成第一上拉脉冲和下拉脉冲，并且可响应于第一上拉脉冲和下拉脉冲调节要由位线感测放大器发展的位线低电压的电平。当对存储器单元执行读操作时，位线低电压的电平可比接地电压高出增量电压那么多，并且当对存储器单元执行写操作时，位线低电压的电平可等于接地电压。

根据示例性实施例，一种包括连接到位线和互补位线的位线感测放大器的存储器装置的操作方法。位线和互补位线连接到多个存储器单元。该方法可包括：感测并放大存储在所述多个存储器单元中的目标存储器单元中的数据；将位线感测放大器的第一节点的电压施加到位线和互补位线之一；恢复存储在目标存储器单元中的数据，然后从接地电压增大位线感测放大器的第一节点的电压电平，或者将第一数据写入目标存储器单元中，然后从接地电压增大位线感测放大器的第一节点的电压电平；以及将位线感测放大器的第一节点的电压电平减小至接地电压。多个存储器单元中的每一个可包括浮置主体结构的晶体管。

附图说明

通过参照附图详细描述本发明构思的示例性实施例，本发明构思的以上和其它目的和特征将变得显而易见。

图1示出根据本发明构思的实施例的存储器装置的框图。

图2是详细示出根据示例实施例的图1的存储器装置的一部分的图。

图3示出根据示例实施例的图1的感测放大器单元的框图。

图4示出根据示例实施例的图3的位线感测放大器驱动器电路的电路图。

图5示出根据示例实施例的施加到位线感测放大器驱动器电路的信号、位线感测放大器驱动器电路中使用的信号、位线的电压和互补位线的电压的波形的时序图。