[发明专利]一种采用辐照技术制造的抗辐射双极晶体管的生产方法

权利要求书

1.一种采用辐照技术制造的抗辐射双极晶体管的生产方法，其特征在于，包括：

步骤1：基于预设光刻工艺对双极晶体管进行处理，并形成欧姆接触区；

步骤2：基于欧姆接触区，通过目标类型的辐射对双极晶体管进行交替辐照，且将完成辐照后的双极晶体管在第一目标温度范围内进行第一退火处理；

步骤3：基于退火结果，对辐照后的双极晶体管平面注入氢离子，并将注入氢离子的双极晶体管在第二目标温度范围内进行第二退火处理；

步骤4：基于封装工艺，将处理完毕的双极晶体管切割成分立器件，且将分立器件安装到管壳中，并焊接引线，完成抗辐射双极晶体管的生产。

2.根据权利要求1所述的一种采用辐照技术制造的抗辐射双极晶体管的生产方法，其特征在于，步骤1中，基于预设光刻工艺对双极晶体管进行处理，并形成欧姆接触区，包括：

获取用于生产双极晶体管的硅材料，并将所述硅材料在预设温度下进行氧化反应，得到硅材料对应的掩蔽氧化硅，同时，确定所述掩蔽氧化硅的实际厚度；

将所述掩蔽氧化硅的实际厚度与预设厚度进行比较；

若所述掩蔽氧化硅的实际厚度未达到所述预设厚度，判定硅材料在预设温度下的氧化反应不合格，并重新对所述硅材料进行氧化反应，直至所述掩蔽氧化硅的实际厚度达到所述预设厚度；

否则，基于预设蚀刻工艺，在所述氧化硅中形成窗口，其中，窗口中扩散硼和磷杂质，从而得到待处理双极晶体管；

基于预设光刻工艺，从已形成双极晶体管的硅片的非平面表面去除保护层，并在已形成双极晶体管的基极和发射极区域形成欧姆接触区。

3.根据权利要求2所述的一种采用辐射技术制造的抗辐射双极晶体管的生产方法，其特征在于，所述欧姆接触区中所存在的电压为0.7V。

4.根据权利要求1所述的一种采用辐照技术制造的抗辐射双极晶体管的生产方法，其特征在于，步骤2中，基于欧姆接触区，通过目标类型的辐射对双极晶体管进行交替辐照，且将完成辐照后的双极晶体管在第一目标温度范围内进行第一退火处理，包括：

获取目标类型的辐射，其中，所述目标类型的辐射为多种，同时，获取双极晶体管对应的辐射信息，其中，所述辐射信息包括所述双极晶体管的辐照次数、接受的辐照剂量以及接受目标类型的辐射的次序信息；

基于所述双极晶体管接受目标类型的辐射的次序信息对所述目标类型的辐射进行排序；

基于预设控制系统，控制传送系统将装载有所述双机晶体管的托架运输至辐照室内，并根据所述辐射信息控制装载有所述双机晶体管的托架进入所述辐照室内的次数；

基于目标类型的辐射的排序结果，按照所述双极晶体管接受的辐照剂量对进入辐照室内的双机晶体管进行交替辐照，直至完成双极晶体管对应的辐射次数；

获取完成辐照后的双极晶体对第一退火温度以及第一退火时间的要求，得到第一目标退火温度以及第一目标退火时间；

基于预设工艺将完成辐照后的双极晶体管放入预设退火炉中，并调节所述预设退火炉的当前温度达到第一目标温度范围，其中，所述第一目标退火温度在所述第一目标温度范围之内；

基于所述第一目标温度范围，控制预设退火炉在所述第一目标退火时间内完成对辐照后的双极晶体管的第一退火处理。