[发明专利]一种采用辐照技术制造的抗辐射双极晶体管的生产方法

说明书

本发明提供了一种采用辐照技术制造的抗辐射双极晶体管的生产方法，其方法包括：基于预设光刻工艺对双极晶体管进行处理，并形成欧姆接触区；基于欧姆接触区，通过目标类型的辐射对双极晶体管进行交替辐照，且将完成辐照后的双极晶体管在第一目标温度范围内进行第一退火处理；基于退火结果，对辐照后的双极晶体管平面注入氢离子，并将注入氢离子的双极晶体管在第二目标温度范围内进行第二退火处理；基于封装工艺，将处理完毕的双极晶体管切割成分立器件，且将分立器件安装到管壳中，并焊接引线，完成抗辐射双极晶体管的生产。提高器件的抗辐射性，实现在辐射状态下器件工作的稳定性与可靠性，相比传统工艺提高了生产效率，降低了成本。

技术领域

本发明涉及微电子学技术领域，特别涉及一种采用辐照技术制造的抗辐射双极晶体管的生产方法。

背景技术

目前，日益广泛的航空航天及空间技术与高能物理的研究都需要抗辐射的半导体器件，而目前可抗辐射的高质量高可靠半导体器件还比较少,而且所采用的辐射屏蔽方法，如屏蔽盒，屏蔽薄膜等，存在工艺复杂，价格昂贵等缺点；

因此，本发明提供了一种采用辐照技术制造的抗辐射双极晶体管的生产方法，用以提高器件的抗辐射性，实现在辐射状态下器件工作的稳定性与可靠性，相比传统工艺提高了生产效率，降低了成本。

发明内容

本发明提供一种采用辐照技术制造的抗辐射双极晶体管的生产方法，用以提高器件的抗辐射性，实现在辐射状态下器件工作的稳定性与可靠性，相比传统工艺提高了生产效率，降低了成本。

本发明提供了一种采用辐照技术制造的抗辐射双极晶体管的生产方法，包括：

步骤1：基于预设光刻工艺对双极晶体管进行处理，并形成欧姆接触区；

步骤2：基于欧姆接触区，通过目标类型的辐射对双极晶体管进行交替辐照，且将完成辐照后的双极晶体管在第一目标温度范围内进行第一退火处理；

步骤3：基于退火结果，对辐照后的双极晶体管平面注入氢离子，并将注入氢离子的双极晶体管在第二目标温度范围内进行第二退火处理；

步骤4：基于封装工艺，将处理完毕的双极晶体管切割成分立器件，且将分立器件安装到管壳中，并焊接引线，完成抗辐射双极晶体管的生产。

优选的，一种采用辐照技术制造的抗辐射双极晶体管的生产方法，步骤1中，基于预设光刻工艺对双极晶体管进行处理，并形成欧姆接触区，包括：

获取用于生产双极晶体管的硅材料，并将所述硅材料在预设温度下进行氧化反应，得到硅材料对应的掩蔽氧化硅，同时，确定所述掩蔽氧化硅的实际厚度；

将所述掩蔽氧化硅的实际厚度与预设厚度进行比较；

若所述掩蔽氧化硅的实际厚度未达到所述预设厚度，判定硅材料在预设温度下的氧化反应不合格，并重新对所述硅材料进行氧化反应，直至所述掩蔽氧化硅的实际厚度达到所述预设厚度；

否则，基于预设蚀刻工艺，在所述氧化硅中形成窗口，其中，窗口中扩散硼和磷杂质，从而得到待处理双极晶体管；

基于预设光刻工艺，从已形成双极晶体管的硅片的非平面表面去除保护层，并在已形成双极晶体管的基极和发射极区域形成欧姆接触区。

优选的，一种采用辐照技术制造的抗辐射双极晶体管的生产方法，所述欧姆接触区中所存在的电压为0.7V。

优选的，一种采用辐照技术制造的抗辐射双极晶体管的生产方法，步骤2中，基于欧姆接触区，通过目标类型的辐射对双极晶体管进行交替辐照，且将完成辐照后的双极晶体管在第一目标温度范围内进行第一退火处理，包括：

获取目标类型的辐射，其中，所述目标类型的辐射为多种，同时，获取双极晶体管对应的辐射信息，其中，所述辐射信息包括所述双极晶体管的辐照次数、接受的辐照剂量以及接受目标类型的辐射的次序信息；