[发明专利]一种高纯碲化镓多晶合成生产装置

说明书

本发明公开了一种高纯碲化镓多晶合成生产装置，具体涉及半导体材料制备技术领域，包括生产底座，所述生产底座上表面的四角处均固定连接有固定支架，且四个固定支架的相对面通过销轴分别与四个限位框架相远离的一面固定连接，且四个限位框架相对面的一端通过销轴与同一个石英帽的外表面活动连接，所述石英帽的下表面设置有密封圈。本发明通过设置限位框架、石英管、石英帽和滑轮，由于限位套固定在石英帽的表面，使得移动石英帽的过程中，石英帽不易出现脱落的情况，且工作人员可以方便的对石英帽进行安装和拆卸，使得工作人员无需反复切割更换石英帽以及石英管，保障了石英管和石英帽的使用寿命，进而提高了该生产装置的环保性。

技术领域

本发明涉及半导体材料制备技术领域，更具体地说，本发明涉及一种高纯碲化镓多晶合成生产装置。

背景技术

GaTe作为一种新型的P型硫化物，其具有较高的空穴密度(6×1012cm-2)，和其它的过渡金属硫化物不一样，它的体材料和原子层材料在常温下都是直接带隙的(1.65eV)。碲化镓属于单斜晶系(C2/m空间群)，六方相是其亚稳态相。同其它二维材料一样，GaTe层内原子通过共价键结合，而层间则以较弱的范德瓦尔斯力结合，它的层状由Te-Ga-Ga-Te沿着c轴组成。合适的能带宽度使其在太阳能窗口材料和室温辐射探测等方面都有潜在应用，但因其晶体结构较为复杂，这使得GaTe的结构研究仍待深入，目前在对碲化镓进行加工时往往是采用石英管对其高温加热后从而得到结晶体，然而由于石英管处于水平放置，因此合成的多晶料横截面是D形，且在通过抽真空的方式对反应容器内部进行处理时，不易于于反应容器在炉膛内的快速拆装，对碲化镓的多晶合成造成了较大的影响，且现有石英管因为需要焊接保持管内真空，因此每次使用后都需要切除石英帽部位，每条石英管最多使用三次就报废，难以保障该生产装置的环保性。

发明内容

为了克服现有技术的上述缺陷，本发明提供了一种高纯碲化镓多晶合成生产装置，本发明所要解决的技术问题是：由于石英管内具有低温区和高温区，通过计算机控制各温区的温度以进行多晶合成，然而由于石英管处于水平放置，因此合成的多晶料横截面是D形，且在通过抽真空的方式对反应容器内部进行处理时，不易于于反应容器在炉膛内的快速拆装，对碲化镓的多晶合成造成了较大的影响，且现有石英管因为需要焊接保持管内真空，因此每次使用后都需要切除石英帽部位，每条石英管最多使用三次就报废，难以保障该生产装置环保性的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种高纯碲化镓多晶合成生产装置，包括生产底座，所述生产底座上表面的四角处均固定连接有固定支架，且四个固定支架的相对面通过销轴分别与四个限位框架相远离的一面固定连接，且四个限位框架相对面的一端通过销轴与同一个石英帽的外表面活动连接，所述石英帽的下表面设置有密封圈，所述石英帽通过密封圈与石英管的顶端卡接，所述石英帽的下表面与石英管顶端的安装口相连通，所述石英帽的外表面套接有限位套，所述限位套的内壁开设有导向槽，所述导向槽内壁的上表面和下表面分别与滑轮的顶端和底端铰接，所述滑轮的外表面与石英帽的外表面搭接，所述石英帽的顶端与连接头的底端相连通，所述连接头内设置有输气管和气压管，所述石英管的外表面分别与四个固定板的相对面搭接，对应两个固定板相远离的一面分别与两个滑杆相对面的一端固定连接，且两个滑杆分别滑动连接在两个滑套内。

作为本发明的进一步方案：所述滑套的左端卡接有旋转装置，所述旋转装置的左端与螺纹杆的右端固定连接，所述螺纹杆的外表面螺纹连接有螺纹帽，所述螺纹帽的外表面与滑套左侧的内壁固定连接，所述滑套的外表面与安装架的内壁固定连接，所述密封圈设置为膨胀密封圈。

作为本发明的进一步方案：所述安装架正面的一端和背面的一端分别与位于左侧前方和后方两个固定支架的相对面固定连接，所述滑套的上表面设置有泄气阀，所述泄气阀的底端与滑套的上表面相连通。

作为本发明的进一步方案：所述气压管的左侧面与连接管右端相连通，所述连接管的左端与压力阀的右侧面相连通，所述压力阀的下表面与限位管的顶端相连通，所述限位管内滑动连接有限位杆，所述压力阀的背面通过连接块与石英帽的内壁固定连接。