[发明专利]一种传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构

说明书

本发明公开了一种传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构，包括底座、容器筒和旋转电机，所述底座的凹陷处底壁安装有容器筒，所述底座的底壁安装有旋转电机，所述容器筒的顶部安装有两组双向电机，所述底座的顶部安装有送气箱，所述送气箱的正面安装有输送结构，所述送气箱的顶部安装有水泵，所述水泵的输出端安装有软管。本发明通过安装的水泵可往输送结构内部导入冷水，可降低其内部的原有温度，而后辅助以送气风机，可使容器筒迅速降温，风力传感器与送气风机、报警器之间电性连接，可对装置进行运行监测，送气筒可进行拆卸检修，其底部均匀设置有多组槽孔，其槽孔从上至下直径逐渐放大，可在一定程度上保证输气均匀。

技术领域

本发明涉及传感器技术领域，具体为一种传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构。

背景技术

传感器制作过程中需要使用单晶硅，而单晶硅在加工过程中均需要金国刻蚀处理，现有技术中通常将多个单晶硅叠放在容器内部的片架上，而后向容器内部导入反应气体，并使得反应气体在电厂环境下产生等离子体，继而对单晶硅进行刻蚀操作。

现有的装置存在的缺陷是：

1.对比文件CN104979248A公开了传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构，“包括有反应室，反应室的上端部设置有送气管道，其连接至设置在反应室外部的气源室；所述反应室的上端面设置有反应端盖，其采用中空结构，所述送气管道延伸至反应端盖内部；所述反应端盖的下端面之中设置有多个导气管道，每一个导气管道均包括有第一管部，第二管部与第三管部，所述第一管部的直径在竖直方向上逐渐缩小，第三管部的直径在竖直方向上逐渐增大；采用上述技术方案的传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构，其可通过导气管道的结构设置，使得其在第一管部与第三管部之间形成压差，使得反应气体可迅速通入反应室之中，并通过压差避免反应气体回到反应端盖之中，以造成气体的外泄。”但是本装置中缺少迅速降温的结构，当反应室内部的单晶硅刻蚀操作结束后，其温度一时难以降低，等其自然降温需要较长时间，会影响后续单晶硅刻蚀的效率；

2.对比文件CN104975351A公开了可改善加工精度的传感器单晶硅刻蚀装置，“包括有反应室，反应室的上端部设置有送气管道，其连接至设置在反应室外部的气源室，所述反应室的轴线位置设置有片架；所述片架由有多个在水平方向上延伸的置放板件堆叠而成，每一个置放板件均采用环形结构；所述反应室中，送气管道的端部位置设置有导流板，其包括有连接至反应室侧端面，且沿水平方向进行延伸的连接部分，其采用环形结构；所述连接部分的内侧边部设置有延伸至置放板件内侧的导流部分，连接部分与导流部分之上分别设置有多个导流孔；上述刻蚀装置使得片架不同径向位置的单晶硅与反应气体之间可进行均匀的接触，进而使得片架中的单晶硅的整体加工精度可得以现在改善。”但是装置在使用时，缺少运行监测装置，当装置在进行刻蚀操作时，反应气体若未进入反应室的内部，使用者无法及时得知，会影响刻蚀效果和效率；

3.对比文件CN104975350A公开了传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置，“包括有反应室，反应室的轴线位置设置有片架，其连接至设置在反应室外部的片架旋转机构；所述反应室外侧设置有电磁线圈；所述反应室中，片架之上设置有多个在水平方向上延伸的支撑杆件，每一个支撑杆件的端部位置均设置有导向轮，其与支撑杆件通过转轴进行连接，所述导向轮的轴线平行于反应室的轴线，导向轮相交于反应室的内壁之上；采用上述技术方案的传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置，其可在片架于反应室内部进行刻蚀加工的过程中，通过多个支撑杆件对片架进行定位处理，使得其始终处于反应室的轴线位置，从而使得片架之中的多个单晶硅的刻蚀加工的精度得以改善。”但是装置在使用时缺少促使反应气体输气均匀的部件，导致进入反应室内部的反应气体对单晶硅作用不够均匀。

发明内容

本发明的目的在于提供一种传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构，以解决上述背景技术中提到出的问题。