[发明专利]一种通孔、盲孔互连结构成型工艺在审
申请号: | 202110782364.X | 申请日: | 2021-07-09 |
公开(公告)号: | CN113517224A | 公开(公告)日: | 2021-10-19 |
发明(设计)人: | 杨冠南;姚可夫;钟朝彬;崔成强 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 佛山市君创知识产权代理事务所(普通合伙) 44675 | 代理人: | 杜鹏飞 |
地址: | 510000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 互连 结构 成型 工艺 | ||
1.一种通孔、盲孔互连结构成型工艺,其特征在于,包括以下步骤:
(1)将预填充块压入具有孔洞的模具中,所述孔洞的深度、孔径及排列形式与载板基材上所需的通孔或盲孔互连结构对应;预填充块脱模,形成填充基材,其表面获得多个按所述排列形式布置的填充棒;
(2)将载板材料覆盖在填充基材的表面,使得填充基材表面上的填充棒插入至载板材料中;
(3)通过控制载板材料和填充基材的温度,使得载板材料固化,形成载板基材;利用载板材料与填充基材的热收缩差异,实现载板材料与填充基材界面分离,并在切应力的作用下使得填充棒的根部断裂,使得填充棒保留在载板基材中;
(4)对步骤(3)中形成的载板基材进行线路层的加工,最终获得具有通孔或盲孔互连结构的载板基材。
2.根据权利要求1所述的通孔、盲孔互连结构成型工艺,其特征在于,在完成步骤(1)后,对所述填充基材进行表面预处理,使得填充基材的表面与金属不具有结合力。
3.根据权利要求2所述的通孔、盲孔互连结构成型工艺,其特征在于,对所述填充基材进行表面预处理的方式为以下其中一种:
(a)将填充基材浸泡于含有明胶的高熔点大分子有机物溶液中,使填充基材表面形成有机包覆层,实现与金属不具有结合力;
(b)在填充基材表面沉积一层石墨;
(c)在填充基材表面铺洒二氧化硅粉末层;
(d)在填充基材表面沉积一层金属锡。
4.根据权利要求1所述的通孔、盲孔互连结构成型工艺,其特征在于,在完成步骤(3)后,对载板基材的表面进行处理,使得载板基材表面平整。
5.根据权利要求1所述的通孔、盲孔互连结构成型工艺,其特征在于,在步骤(3)中,对填充基材的另一侧进行涡流加热,控制填充基材表面温度,同时调控载板材料的温度,实现填充基材与载板材料之间形成热应力差,最终实现填充基材和载板材料的界面分离以及填充棒的根部断裂。
6.根据权利要求1所述的通孔、盲孔互连结构成型工艺,其特征在于,在步骤(3)中,对填充基材的另一侧施加超声波,并让超声波频率与填充基材的厚度满足以下关系:
(0.5+n)c/f=D,
其中,f为超声波频率,D为填充基材的厚度,n为任意自然数,c为填充基材的体声波声速。
7.根据权利要求1所述的通孔、盲孔互连结构成型工艺,其特征在于,在步骤(2)和步骤(3)中:
当载板材料为玻璃时,将玻璃熔融后覆盖于填充基材的上方,并浸没填充棒至所需高度,接着进行冷却,此时由于玻璃与填充基材具有热收缩差异,使得玻璃与填充基材界面分离,且在切应力作用下使得填充棒根部断裂,最终获得带有通孔或盲孔互连结构的玻璃载板基材;
当载板材料为塑封料结构时,将塑封料粉末铺洒于填充基材的上方,并浸没金属棒至所需高度,接着对塑封料进行加热使其熔化并固化,此时由于塑封料与填充基材具有热收缩差异,使塑封料与填充基材界面分离,且在切应力作用下使填充棒根部断裂,最终获得带有通孔或盲孔互连结构的塑封料载板;
当载板材料为介电层结构时,将层状介电材料加热软化,将填充基材上的填充棒插入介电层至所需深度,接着对介电层进行保温固化,此时由于介电层与填充基材具有热收缩差异,使介电层与填充基材界面分离,且在切应力作用下使填充棒根部断裂,最终获得带有通孔或盲孔互连结构的介电层载板。
8.根据权利要求1所述的通孔、盲孔互连结构成型工艺,其特征在于,在步骤(1)中,通过热压印的方式将预填充块压入具有孔洞的模具中。
9.根据权利要求1所述的通孔、盲孔互连结构成型工艺,其特征在于,所述填充基材为高导电低屈服强度金属。
10.根据权利要求1所述的通孔、盲孔互连结构成型工艺,其特征在于,载板基材上所需的通孔或盲孔的孔径为3nm-1mm,深度为3nm-10mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造