[发明专利]一种通孔、盲孔互连结构成型工艺在审
申请号: | 202110782364.X | 申请日: | 2021-07-09 |
公开(公告)号: | CN113517224A | 公开(公告)日: | 2021-10-19 |
发明(设计)人: | 杨冠南;姚可夫;钟朝彬;崔成强 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 佛山市君创知识产权代理事务所(普通合伙) 44675 | 代理人: | 杜鹏飞 |
地址: | 510000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 互连 结构 成型 工艺 | ||
本发明公开一种通孔、盲孔互连结构成型工艺,包括以下步骤:(1)将预填充块压入具有孔洞的模具中;预填充块脱模,形成填充基材,其表面获得多个填充棒;(2)将载板材料并覆盖在填充基材的表面,使得填充基材表面上的填充棒插入至载板材料中;(3)通过控制温度,使得载板材料固化形成载板基材;利用载板材料与填充基材的热收缩差异,实现载板材料与填充基材界面分离,填充棒根部断裂,使得填充棒保留在载板基材中;(4)对步骤(3)中形成的载板基材进行线路层的加工,最终获得具有通孔或盲孔互连结构的载板基材。本发明具有高效、精准的优点,使得填充基材与通孔、盲孔的配合度高,有利于提升互连结构的导热和导电性能。
技术领域
本发明涉及一种电路成型工艺,具体涉及一种通孔、盲孔互连结构成型技术。
背景技术
现有技术中,在载板或基材上制作通孔或盲孔互连结构,一般都是先在载板或基材上加工出通孔或盲孔,接着再对通孔或盲孔进行电镀铜(或其他金属),从而实现通孔或盲孔互连结构。当然,为进一步优化或简化制作步骤,现有技术中也出现其他通孔互连结构制作方法,例如,授权公告号为CN102130042B的发明专利“一种通孔互连结构的制作方法”,具体公开的通孔电镀填充工艺,具有更加简易、成品率高等优点。但是,现有技术中的通孔互连结构制作方法步骤仍然复杂繁琐,且通孔、盲孔的电镀填充精度不高,影响互连结构的导热性能和导电性能等。
发明内容
本发明目的在于克服现有技术的不足,提供一种通孔、盲孔互连结构成型工艺,该成型工艺具有高效、精准的优点,使得填充基材与通孔、盲孔的配合度高,有利于提升互连结构的导热和导电性能。
本发明的目的通过以下技术方案实现:
一种通孔、盲孔互连结构成型工艺,其特征在于,包括以下步骤:
(1)将预填充块压入具有孔洞的模具中,所述孔洞的深度、孔径及排列形式与载板基材上所需的通孔或盲孔互连结构对应;预填充块脱模,形成填充基材,其表面获得多个按所述排列形式布置的填充棒;
(2)将载板材料覆盖在填充基材的表面,使得填充基材表面上的填充棒插入至载板材料中;
(3)通过控制载板材料和填充基材的温度,使得载板材料固化,形成载板基材;利用载板材料与填充基材的热收缩差异,实现载板材料与填充基材界面分离,并在切应力的作用下使得填充棒的根部断裂,使得填充棒保留在载板基材中;
(4)对步骤(3)中形成的载板基材进行线路层的加工,最终获得具有通孔或盲孔互连结构的载板基材。
本发明的一个优选方案,在完成步骤(1)后,对所述填充基材进行表面预处理,使得填充基材的表面与金属不具有结合力。
优选地,对所述填充基材进行表面预处理的方式为以下其中一种:
(a)将填充基材浸泡于含有明胶的高熔点大分子有机物溶液中,使填充基材表面形成有机包覆层,实现与金属不具有结合力;
(b)在填充基材表面沉积一层石墨;
(c)在填充基材表面铺洒二氧化硅粉末层;
(d)在填充基材表面沉积一层金属锡。
通过对填充基材的表面进行预处理,使得填充基材的表面与金属不具有结合力,避免填充基材表面与载板材料之间的晶粒存在相互作用力,影响后续的分离加工。
本发明的一个优选方案,在完成步骤(3)后,对载板基材的表面进行处理,使得载板基材表面平整。
本发明的一个优选方案,在步骤(3)中,对填充基材的另一侧进行涡流加热,控制填充基材表面温度,同时调控载板材料的温度,实现填充基材与载板材料之间形成热应力差,以便在两者界面处形成切应力,最终实现填充基材和载板材料的界面分离以及填充棒的根部断裂。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造