[发明专利]阵列基底及其制作方法

权利要求书

1.一种阵列基底，其特征在于，包括基底、以及间隔设置于所述基底上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；

所述第一薄膜晶体管包括位于所述基底上的多晶硅半导体层、位于所述多晶硅半导体层上方的第一栅极、及与所述多晶硅半导体层连接的第一源漏极；

所述第二薄膜晶体管包括位于所述基底上方的氧化物半导体层、位于所述氧化物半导体层一侧的第二栅极、及与所述氧化物半导体层连接的第二源漏极；

其中，所述第二源漏极与所述氧化物半导体层同层且间隔设置，所述第二源漏极与所述氧化物半导体层桥接。

2.如权利要求1所述的阵列基底，其特征在于，所述第一源漏极、所述第二源漏极和所述氧化物半导体层同层且间隔设置。

3.如权利要求1所述的阵列基底，其特征在于，所述阵列基底还包括设置于所述第二源漏极和所述氧化物半导体层上的绝缘层、设置于所述绝缘层上的第一桥接部；

所述绝缘层包括位于所述第二源漏极上方的第一过孔和位于所述氧化物半导体层的上方的第二过孔，所述第一桥接部一端穿过所述第一过孔与所述第二源漏极连接，所述第一桥接部另一端穿过所述第二过孔与所述氧化物半导体层连接。

4.如权利要求3所述的阵列基底，其特征在于，所述阵列基底还包括与所述第一桥接部同层设置的像素电极，所述绝缘层包括位于所述氧化物半导体层上方的第三过孔，所述像素电极通过所述第三过孔与所述氧化物半导体层连接。

5.如权利要求4所述的阵列基底，其特征在于，所述绝缘层包括设置于所述第二源漏极和所述氧化物半导体层上的第一绝缘层、以及设置于所述第一绝缘层上的第二绝缘层，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间设有公共电极层；

所述阵列基底还包括与所述第二源漏极同层设置的公共电极走线，所述绝缘层包括一位于所述公共电极走线上方且至少穿过所述第一绝缘层的第四过孔，所述公共电极层通过所述第四过孔与所述公共电极走线桥接。

6.如权利要求5所述的阵列基底，其特征在于，所述阵列基底还包括与所述第一桥接部同层设置的第二桥接部，所述第四过孔穿过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，所述第二绝缘层包括位于所述公共电极层上方的第五过孔；

所述第二桥接部一端穿过所述第五过孔与所述公共电极层连接，所述第二桥接部另一端穿过所述第四过孔与所述公共电极走线连接。

7.如权利要求6所述的阵列基底，其特征在于，所述第一绝缘层包括设置于所述第二源漏极、所述公共电极走线和所述氧化物半导体层上的第一绝缘子层，以及设置于所述第一绝缘子层上的第二绝缘子层，所述第二绝缘层设置于所述第二绝缘子层上，所述第一绝缘子层与所述第二绝缘层的材料相同；

所述第二绝缘子层包括与所述第一过孔位置相对应的第一开口、与所述第二过孔位置相对应的第二开口、与所述第三过孔位置相对应的第三开口、以及与所述第四过孔位置相对应的第四开口，所述第二绝缘层设置于所述第二绝缘子层上且填充于所述第一开口、第二开口、第三开口和所述第四开口内；

所述第一过孔依次穿过所述第二绝缘层、第一开口和所述第一绝缘子层，所述第二过孔依次穿过所述第二绝缘层、第二开口和所述第一绝缘子层，所述第三过孔依次穿过所述第二绝缘层、第三开口和所述第一绝缘子层，所述第四过孔依次穿过所述第二绝缘层、第四开口和所述第一绝缘子层。

8.一种阵列基底的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一基底；

在所述基底上形成相间隔的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括形成于所述基底上的多晶硅半导体层、形成于所述多晶硅半导体层上方的第一栅极、及与所述多晶硅半导体层连接的第一源漏极，所述第二薄膜晶体管包括形成于所述基底上方的氧化物半导体层、形成于所述氧化物半导体层一侧的第二栅极、及与所述氧化物半导体层连接的第二源漏极；

其中，所述第二源漏极与所述氧化物半导体层相互间隔且同层制作，所述第二源漏极与所述氧化物半导体层采用桥接连接。