[发明专利]光刻机及光刻机的控制方法和控制系统、生产设备

说明书

本申请实施例提供一种光刻机及光刻机的控制方法和控制系统、生产设备，涉及半导体技术领域，光刻机的控制系统包括检测单元、加热单元以及控制单元。本申请实施例通过在光刻机内设置检测单元、加热单元以及控制单元，当控制单元判断出晶圆在光刻机内完成曝光工艺后的停留时间大于预设时长时，会控制加热单元对晶圆进行加热，及时地处理晶圆上光刻胶表面残留水滴，防止残留水滴在光刻胶上造成缺陷，提高晶圆的良率。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种光刻机及光刻机的控制方法和控制系统、生产设备。

背景技术

随着半导体制造技术的发展，浸润式光刻工艺的应用越来越广泛，浸润式光刻工艺通常是在光刻机中对涂覆有光刻胶的晶圆进行曝光，以得到所需的图形结构。

在曝光过程中，曝光镜头与承载台之间的空间会填满高折射率的液体，比如去离子水，以提高曝光镜头的分辨率。但是，晶圆与曝光镜头之间的液体会随着晶圆的移动而移动，导致相对于晶圆运动的液体容易残留在晶圆上光刻胶表面，残留水滴会使光刻胶表面产生析出物，该析出物会在后续烘烤之后仍然会残留在光刻胶表面，形成圆圈状的缺陷，上述圆圈状的缺陷在后续的显影步骤时会影响到图形的显影效果，出现水印缺陷，影响晶圆的良率。

相关技术中，通常在涂胶显影机内采用清洗工艺，去除残留在晶圆上光刻胶表面的残留水滴，但是此种工艺存在处理不及时的缺陷，致使残留水滴在晶圆上滞留时间较长，进而导致水印缺陷，降低晶圆的良率。

发明内容

本申请实施例提供一种光刻机及光刻机的控制方法和控制系统、生产设备，能够及时处理晶圆上光刻胶表面残留水滴，提高晶圆的良率。

本申请实施例的第一方面提供一种光刻机的控制系统，其包括：检测单元、加热单元以及控制单元；

所述检测单元，用于检测晶圆在所述光刻机内完成曝光工艺后的停留时间；

所述控制单元，分别与所述检测单元和所述加热单元信号连接，用于接收所述停留时间，当所述停留时间大于预设时长时形成动作指令，并通过所述动作指令控制所述加热单元对所述晶圆进行加热，以清除所述晶圆上光刻胶表面的残留水滴。

在其中一个实施例中，所述预设时长的范围包括20s～100s。

在其中一个实施例中，当所述停留时间大于80s时形成动作指令，并通过所述动作指令控制所述加热单元对所述晶圆进行加热；

所述控制单元还用于控制所述加热单元的加热温度，所述加热温度包括80℃～120℃。

在其中一个实施例中，还包括：温度检测单元和报警单元，所述温度检测单元和报警单元均与所述控制单元信号连接；

所述温度检测单元，用于检测所述晶圆上光刻胶表面的温度，并把所述晶圆上光刻胶表面的温度发送给控制单元；

所述控制单元还用于接收所述晶圆上光刻胶表面的温度，当所述晶圆上光刻胶表面的温度大于预设温度时形成指示命令，并通过所述指示命令控制所述报警单元发出报警信号。

在其中一个实施例中，所述报警信号包括声音信号、光信号和图像信号中的一种或者多种。

在其中一个实施例中，还包括：

所述控制单元还用于接收第一信号时，在接收所述第一信号后控制所述加热单元对所述晶圆加热，所述第一信号用于指示涂胶显影机故障。

在其中一个实施例中，所述预设时长为0s。

在其中一个实施例中，还包括传送单元，所述光刻机通过传送单元与涂胶显影机连接；

所述控制单元还用于接收第二信号时，控制所述传送单元将所述晶圆传送至所述涂胶显影机内，所述第二信号用于指示所述涂胶显影机正常工作。