[发明专利]一种改善氧化铝口尾均匀性的测试方法

说明书

本发明公开了一种改善氧化铝口尾均匀性的测试方法，包括以下具体步骤：(1)设置实验对比组别，包括：实验组：控制其甲基铝通气量为55，功率为7000，通气开关占比为20：1000；方案1：控制其三甲基铝通气量为60，功率为6500，通气开关占比为20：1200；方案2：控制其三甲基铝通气量为65，功率为6000，通气开关占比为20：1400；方案3：控制其三甲基铝通气量为65，功率为6000，通气开关占比为20：1200；方案4：控制其三甲基铝通气量为65，功率为5500，通气开关占比为20：1200；本发明与现有技术相比的优点在于：改善了管式PECVD氧化铝口尾均匀性差异，又避免了片间均匀性差异恶化现象。

技术领域

本发明涉及污水处理技术领域，具体是指一种改善氧化铝口尾均匀性的测试方法。

背景技术

光伏电池在生产的过程中有一道工序叫二合一氧化铝，此工序的目的主要通过管式机台一体沉积氧化铝和氮化硅。目前受机台硬件问题主要是改造后石墨舟整体炉口炉尾沉积速率差异大，影响了电池转换效率和成品黑斑问题且缩短了电池片制程窗口。

发明内容

本发明要解决的技术问题是克服以上的技术缺陷，提供一种改善氧化铝口尾均匀性的测试方法。

为解决上述技术问题，本发明提供的技术方案为：一种改善氧化铝口尾均匀性的测试方法，包括以下具体步骤：(1)设置实验对比组别，包括：

实验组：将氧化铝单层膜硅片放置在真空沉积室中的石墨舟内，控制其甲基铝通气量为55，功率为7000，通气开关占比为20：1000；

方案1：将氧化铝单层膜硅片放置在真空沉积室中的石墨舟内，控制其三甲基铝通气量为60，功率为6500，通气开关占比为20：1200；

方案2：将氧化铝单层膜硅片放置在真空沉积室中的石墨舟内，控制其三甲基铝通气量为65，功率为6000，通气开关占比为20：1400；

方案3：将氧化铝单层膜硅片放置在真空沉积室中的石墨舟内，控制其三甲基铝通气量为65，功率为6000，通气开关占比为20：1200；

方案4：将氧化铝单层膜硅片放置在真空沉积室中的石墨舟内，控制其三甲基铝通气量为65，功率为5500，通气开关占比为20：1200；

(2)所述方案1以及方案2和实验组进行对比，确定增加三甲基铝的通气量对其片间不均度带来的影响；

(3)所述方案3和方案4进行对比，确定降低功率对其片间不均度带来的影响。

作为改进，所述实验组、方案1、方案2、方案3以及方案4中采用的氧化铝单层膜硅片的厚度均为40nm。

本发明与现有技术相比的优点在于：本发明的一种改善氧化铝口尾均匀性的测试方法可有效把炉口沉积速率降低使之缩短与炉尾沉积速率差异，通过过量通气降低电离度改善三甲基铝通入管内慢问题，达到炉口炉尾效率差异缩短，又能防止整体氧化铝膜厚降低导致的黑斑恶化问题。

附图说明

图1是本发明一种改善氧化铝口尾均匀性的测试方法的曲线对比图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明做进一步的详细说明。

下面结合附图来进一步说明本发明的具体实施方式。其中相同的零部件用相同的附图标记表示。

需要说明的是，下面描述中使用的词语“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是附图中的方向，词语“内”和“外”分别指的是朝向或远离特定部件几何中心的方向。

为了使本发明的内容更容易被清楚地理解，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。