[发明专利]一种芯片沾污开发特殊键合方式生产工艺在审
| 申请号： | 202110791535.5 | 申请日： | 2021-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN113658879A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 艾育林;田光伟 | 申请（专利权）人： | 江西万年芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 南昌洪达专利事务所 36111 | 代理人： | 刘凌峰 |
| 地址： | 335500 江西省上*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 沾污 开发 特殊 方式 生产工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种芯片沾污开发特殊键合方式生产工艺，其特征在于，方法步骤为：
（1）获取或测量芯片的焊盘材料及厚度信息；
（2）在金线键合前，使用空劈刀，采用空打模式，设定一定方向使空劈刀摩擦芯片焊盘表面，根据步骤（1）获得的焊盘材料及厚度信息调整空劈刀的摩擦参数，保证空劈刀不过度摩擦而刮伤芯片；
（3）在摩擦清洁后的焊盘上再完成金线键合操作。
2.根据权利要求1所述的芯片沾污开发特殊键合方式生产工艺，其特征在于：步骤（2）中空劈刀操作，线弧选择Free-Air-Ball，然后使用Dry Run模式。
3.根据权利要求1所述的芯片沾污开发特殊键合方式生产工艺，其特征在于：步骤（2）中空劈刀摩擦焊盘的磨损厚度为焊盘总厚度的1/10～1/20。
4.根据权利要求1所述的芯片沾污开发特殊键合方式生产工艺，其特征在于：步骤（2）中空劈刀摩擦芯片焊盘表面的范围为圆形或者椭圆形，且其面积大于焊点的覆盖面积，且不能破坏周边线路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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