[发明专利]一种芯片沾污开发特殊键合方式生产工艺

说明书

本发明公开了一种芯片沾污开发特殊键合方式生产工艺，方法步骤为：（1）获取或测量芯片的焊盘材料及厚度信息；（2）在金线键合前，使用空劈刀，采用空打模式，设定一定方向使空劈刀摩擦芯片焊盘表面，根据步骤（1）获得的焊盘材料及厚度信息调整空劈刀的摩擦参数，保证空劈刀不过度摩擦而刮伤芯片；（3）在摩擦清洁后的焊盘上再完成金线键合操作。本发明工艺针对芯片焊盘存在沾污的情况，本发明的工艺方法可以快速、有效地解决芯片沾污问题，明显提高引线的键合拉力，对制程良率提升有显著作用,提高了封装器件的可靠性。

技术领域

本发明属于半导体封装技术领域，具体是涉及一种芯片沾污开发特殊键合方式生产工艺。

背景技术

封装产品芯片，会经过研磨，切割，在这个制造过程中，可能会存在一些工艺异常造成芯片焊盘沾污情况，按照常规处理方式无法清洁，且无法直接完成键合。

发明内容

本发明的目的在于针对上述问题，提供一种芯片沾污开发特殊键合方式生产工艺，使得焊盘存在沾污情况的芯片也可以完成键合，并能保证加工品质。

本发明的技术方案是这样实现的。

一种芯片沾污开发特殊键合方式生产工艺，其特征在于，方法步骤为：

(1)获取或测量芯片的焊盘材料及厚度信息；

(2)在金线键合前，使用空劈刀，采用空打模式，设定一定方向使空劈刀摩擦芯片焊盘表面，根据步骤(1)获得的焊盘材料及厚度信息调整空劈刀的摩擦参数，保证空劈刀不过度摩擦而刮伤芯片；

(3)在摩擦清洁后的焊盘上再完成金线键合操作。

进一步地，步骤(2)中空劈刀操作，线弧选择Free-Air-Ball，然后使用 Dry Run模式。

进一步地，步骤(2)中空劈刀摩擦焊盘的磨损厚度为焊盘总厚度的1/10～ 1/20。

进一步地，步骤(2)中空劈刀摩擦芯片焊盘表面的范围为圆形或者椭圆形，且其面积大于焊点的覆盖面积，且不能破坏周边线路。

本发明的有益效果是：针对芯片焊盘存在沾污的情况，本发明的工艺方法可以快速、有效地解决芯片沾污问题，明显提高引线的键合拉力，对制程良率提升有显著作用,提高了封装器件的可靠性。

具体实施方式

下面通过实施例对本发明的技术方案做进一步地详细说明。

实施例1：本发明的一种芯片沾污开发特殊键合方式生产工艺，方法步骤为：

(1)获取或测量芯片的焊盘材料及厚度信息，比如焊盘材料为AL层，厚度为12K；

(2)在金线键合前，使用空劈刀，采用空打模式，设定X或Y方向使空劈刀摩擦芯片焊盘表面，根据步骤(1)获得的焊盘材料及厚度信息调整空劈刀的摩擦参数，保证空劈刀不过度摩擦而刮伤芯片；

(3)在摩擦清洁后的焊盘上再完成金线键合操作。

步骤(2)中空劈刀操作采用Free-Air-Ball线弧，采用Dry run生产模式， BondUSG Time设定为1S；cap-bond-offset改为-1.5mil；contact Angle设置为3；contactoffset设置为5mil。

步骤(2)中空劈刀摩擦焊盘的磨损厚度为焊盘总厚度的1/20。

步骤(2)中空劈刀摩擦芯片焊盘表面的范围为椭圆形，面积为焊盘面积90％，其面积大于焊点的覆盖面积，焊点的覆盖面积占焊盘面积80％左右。

实施例2：本发明的另一种芯片沾污开发特殊键合方式生产工艺，方法步骤为：