[发明专利]一种半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202110792961.0 | 申请日： | 2021-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN113257662B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 王矿伟;杨清华;唐兆云;赖志国;吴明;王家友 | 申请（专利权）人： | 苏州汉天下电子有限公司;绍兴汉天下微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京允天律师事务所 11697 | 代理人： | 李建航 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上依次沉积第一掩膜层和第二掩膜层；
对所述第一掩膜层和所述第二掩膜层进行刻蚀，形成暴露出所述衬底的凹槽，所述凹槽在所述第二掩膜层处的宽度小于所述凹槽在所述第一掩膜层处的宽度；
在所述凹槽暴露出的衬底以及所述第二掩膜层上形成金属层；
去除所述第一掩膜层、所述第二掩膜层以及所述第二掩膜层上的金属层，保留所述凹槽暴露出的衬底上的金属层；
其中在所述凹槽暴露出的衬底以及所述第二掩膜层上形成金属层之后，还包括：采用修频工艺处理所述金属层的表面；
其中所述第一掩膜层的厚度大于所述金属层的厚度，以获得厚度均匀的金属层。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在相同刻蚀条件下，所述第二掩膜层的刻蚀速率小于或等于所述第一掩膜层的刻蚀速率，以使所述凹槽在所述第二掩膜层处的宽度小于所述凹槽在所述第一掩膜层处的宽度。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对所述第一掩膜层和所述第二掩膜层进行刻蚀包括：
在所述第二掩膜层上形成掩膜，所述掩膜具有暴露出待刻蚀区域的第二掩膜层的开口；
对所述待刻蚀区域的部分掩膜层进行刻蚀；
对所述待刻蚀区域的剩余掩膜层进行刻蚀，以形成暴露出所述衬底的凹槽。
4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，对所述待刻蚀区域的部分掩膜层进行刻蚀包括：
采用干法刻蚀工艺对所述待刻蚀区域的部分掩膜层进行刻蚀；
对所述待刻蚀区域的剩余掩膜层进行刻蚀包括：
采用湿法刻蚀工艺对所述待刻蚀区域的剩余的掩膜层进行刻蚀。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，去除所述第一掩膜层、所述第二掩膜层以及所述第二掩膜层上的金属层包括：
采用湿法刻蚀工艺对所述第一掩膜层和所述第二掩膜层进行刻蚀，以去除所述第一掩膜层、所述第二掩膜层以及所述第二掩膜层上的金属层。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一掩膜层和所述第二掩膜层的材料不同；或者，所述第一掩膜层和所述第二掩膜层的材料相同，但所述第一掩膜层和所述第二掩膜层的厚度不同。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述第一掩膜层和所述第二掩膜层为密度不同的二氧化硅层。
8.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件是采用权利要求1~7任一项所述的方法制作而成的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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