[发明专利]一种半导体器件及其制作方法

说明书

本发明实施例提供了一种半导体器件及其制作方法，该方法包括：在衬底上依次沉积第一掩膜层和第二掩膜层，对第一掩膜层和第二掩膜层进行刻蚀，形成暴露出衬底的凹槽，在凹槽暴露出的衬底以及第二掩膜层上形成金属层，并去除第一掩膜层、第二掩膜层以及第二掩膜层上的金属层，保留凹槽暴露出的衬底上的金属层。由于第一掩膜层和第二掩膜层是采用沉积工艺制作在衬底上的薄膜层，而并不是光刻胶层，因此，即便后续形成金属层的沉积工艺温度过高，也不会对第一掩膜层和第二掩膜层产生影响，即采用沉积工艺形成的第一掩膜层和第二掩膜层对金属层沉积温度要求不高，从而可以降低金属层的沉积难度。

技术领域

本发明实施例涉及半导体集成电路技术领域，具体涉及一种半导体器件及其制作方法。

背景技术

金属剥离(lift-off)工艺是电子机械系统和集成电路加工领域中的一个重要工艺。金属剥离工艺的基本流程为：如图1所示，在现有技术衬底10上形成图形化的现有技术光刻胶掩膜11，然后，如图2所示，在现有技术衬底10以及现有技术光刻胶掩膜11上同步沉积现有技术金属层12，之后，如图3所示，采用常规的光刻胶剥离技术，剥离现有技术光刻胶掩膜11及其表面的现有技术金属层12，保留现有技术衬底10上的现有技术金属层12，从而在现有技术衬底10上形成图形化的现有技术金属层12。但是，采用这种金属剥离工艺，必须保证现有技术金属层12的沉积温度不能过高，导致现有技术金属层12的沉积难度较大。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种半导体器件及其制作方法，以解决现有的金属剥离工艺制作的金属层沉积温度不能过高的问题。

为解决上述问题，本发明实施例提供如下技术方案：

一种半导体器件的制作方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底上依次沉积第一掩膜层和第二掩膜层；

对所述第一掩膜层和所述第二掩膜层进行刻蚀，形成暴露出所述衬底的凹槽，所述凹槽在所述第二掩膜层处的宽度小于所述凹槽在所述第一掩膜层处的宽度；

在所述凹槽暴露出的衬底以及所述第二掩膜层上形成金属层；

去除所述第一掩膜层、所述第二掩膜层以及所述第二掩膜层上的金属层，保留所述凹槽暴露出的衬底上的金属层。

可选地，在相同刻蚀条件下，所述第二掩膜层的刻蚀速率小于或等于所述第一掩膜层的刻蚀速率，以使所述凹槽在所述第二掩膜层处的宽度小于所述凹槽在所述第一掩膜层处的宽度。

可选地，所述第一掩膜层的厚度大于所述金属层的厚度。

可选地，对所述第一掩膜层和所述第二掩膜层进行刻蚀包括：

在所述第二掩膜层上形成掩膜，所述掩膜具有暴露出待刻蚀区域的第二掩膜层的开口；

对所述待刻蚀区域的部分掩膜层进行刻蚀；

对所述待刻蚀区域的剩余掩膜层进行刻蚀，以形成暴露出所述衬底的凹槽。

可选地，对所述待刻蚀区域的部分掩膜层进行刻蚀包括：

采用干法刻蚀工艺对所述待刻蚀区域的部分掩膜层进行刻蚀；

对所述待刻蚀区域的剩余掩膜层进行刻蚀包括：

采用湿法刻蚀工艺对所述待刻蚀区域的剩余的掩膜层进行刻蚀。

可选地，去除所述第一掩膜层、所述第二掩膜层以及所述第二掩膜层上的金属层包括：

采用湿法刻蚀工艺对所述第一掩膜层和所述第二掩膜层进行刻蚀，以去除所述第一掩膜层、所述第二掩膜层以及所述第二掩膜层上的金属层。