[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

第一衬底，所述第一衬底包括若干第一有源区组和若干第二有源区组，若干第一有源区组和若干第二有源区组沿第一方向间隔排列，每个第一有源区组包括沿第二方向排列的若干第一有源区，每个第二有源区组包括沿第二方向排列的若干第二有源区，所述第一方向和第二方向互相垂直，所述第一有源区在第一衬底表面具有第一投影，所述第二有源区在第一衬底表面具有第二投影，所述第一投影和第二投影是形状相同的矩形，并且，相邻的第一投影和第二投影的中心线在第二方向上不重合；

位于若干第一有源区和若干第二有源区之间的第一隔离层；

相互独立的若干字线栅结构，所述字线栅结构位于所述第一衬底和第一隔离层内，所述字线栅结构沿第一方向延伸且沿第二方向排布，每个字线栅结构沿第一方向贯穿在所述第二方向上相邻的1排第一有源区和1排第二有源区；

若干位线结构，每个位线结构位于1个第一有源区组或1个第二有源区组上；

位于若干第一有源区和若干第二有源区上的若干电容结构，并且，所述电容结构和位线结构分别位于第一衬底相对的两个表面上。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于第一衬底内的若干第二隔离结构，在垂直于第一衬底表面的方向上，第二隔离结构的高度小于第一隔离层的高度，所述第二隔离结构位于相邻的字线栅结构之间，并且，每个第二隔离结构沿第一方向贯穿1排第一有源区或1排第二有源区。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一衬底包括相对的第一面和第二面，所述位线结构位于所述第一面上，所述电容结构位于所述第二面上，所述第二面暴露出所述第二隔离结构的底面。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，位于每个第一有源区和每个第二有源区的第一面的第一掺杂区，并且，在所述第二方向上，每个位线结构与1列第一有源区或1列第二有源区的第一掺杂区电连接。

5.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第二隔离结构在朝向第一面的方向上的顶面高于所述字线栅结构高度的二分之一。

6.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，在若干电容结构中，每2个电容结构位于1个第一有源区或1个第二有源区的第二面上，并且，在所述第二方向上，所述2个电容结构分别位于贯穿所述1个第一有源区或1个第二有源区的第二隔离结构的两侧。

7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，位于每个第一有源区和每个第二有源区的第二面的第二掺杂区，在所述第二方向上，所述第二掺杂区位于所述第二隔离结构的两侧，在垂直于第二面的方向上，所述第二掺杂区的深度小于所述第二隔离结构的高度，并且，每个电容结构与所述第二隔离结构的两侧中的一侧的第二掺杂区电连接。

8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述电容结构在第二面的投影与所述第二掺杂区至少部分重合。

9.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一衬底包括相对的第一面和第二面，所述电容结构位于所述第一面上，所述位线结构位于所述第一面上，所述第一面暴露出所述第二隔离结构的顶面。

10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，位于每个第一有源区和每个第二有源区的第二面的第一掺杂区，并且，在所述第二方向上，每个位线结构与1列第一有源区或1列第二有源区的第一掺杂区电连接。

11.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述第二隔离结构在朝向第二面的方向上的底面低于所述字线栅结构高度的二分之一。

12.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，在若干电容结构中，每2个电容结构位于1个第一有源区或1个第二有源区的第一面上，并且，在所述第二方向上，所述2个电容结构分别位于贯穿所述1个第一有源区或1个第二有源区的第二隔离结构的两侧。