[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：第一衬底，第一衬底包括沿第一方向间隔排列的若干第一有源区组和若干第二有源区组，第一有源区组包括若干第一有源区，第二有源区组包括若干第二有源区，第一投影和第二投影是形状相同的矩形；位于若干第一有源区和若干第二有源区之间的第一隔离层；相互独立的若干字线栅结构，字线栅结构位于第一衬底和第一隔离层内；若干位线结构，每个位线结构位于1个第一有源区组或1个第二有源区组上；若干电容结构，电容结构和位线结构分别位于第一衬底相对的两个表面上。所述半导体结构能够改善动态随机存取存储器的性能，降低形成动态随机存取存储器的工艺难度。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，简称DRAM)是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特(bit)是1还是0。

动态随机存取存储器(DRAM)的基本存储单元由一个晶体管和一个存储电容组成，而存储阵列由多个存储单元组成。因此，存储器芯片面积的大小就取决于基本存储单元的面积大小。

现有的动态随机存取存储器还有待改善。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种半导体结构及其形成方法，以改善动态随机存取存储器的性能，降低形成动态随机存取存储器的工艺难度。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案提供一种半导体结构，包括：第一衬底，所述第一衬底包括若干第一有源区组和若干第二有源区组，若干第一有源区组和若干第二有源区组沿第一方向间隔排列，每个第一有源区组包括沿第二方向排列的若干第一有源区，每个第二有源区组包括沿第二方向排列的若干第二有源区，所述第一方向和第二方向互相垂直，所述第一有源区在第一衬底表面具有第一投影，所述第二有源区在第一衬底表面具有第二投影，所述第一投影和第二投影是形状相同的矩形，并且，相邻的第一投影和第二投影的中心线在第二方向上不重合；位于若干第一有源区和若干第二有源区之间的第一隔离层；相互独立的若干字线栅结构，所述字线栅结构位于所述第一衬底和第一隔离层内，所述字线栅结构沿第一方向延伸且沿第二方向排布，每个字线栅结构沿第一方向贯穿在所述第二方向上相邻的1排第一有源区和1排第二有源区；若干位线结构，每个位线结构位于1个第一有源区组或1个第二有源区组上；位于若干第一有源区和若干第二有源区上的若干电容结构，并且，所述电容结构和位线结构分别位于第一衬底相对的两个表面上。

可选的，还包括：位于第一衬底内的若干第二隔离结构，在垂直于第一衬底表面的方向上，第二隔离结构的高度小于第一隔离层的高度，所述第二隔离结构位于相邻的字线栅结构之间，并且，每个第二隔离结构沿第一方向贯穿1排第一有源区或1排第二有源区。

可选的，所述第一衬底包括相对的第一面和第二面，所述位线结构位于所述第一面上，所述电容结构位于所述第二面上，所述第二面暴露出所述第二隔离结构的底面。

可选的，位于每个第一有源区和每个第二有源区的第一面的第一掺杂区，并且，在所述第二方向上，每个位线结构与1列第一有源区或1列第二有源区的第一掺杂区电连接。

可选的，所述第二隔离结构在朝向第一面的方向上的顶面高于所述字线栅结构高度的二分之一。

可选的，在若干电容结构中，每2个电容结构位于1个第一有源区或1个第二有源区的第二面上，并且，在所述第二方向上，所述2个电容结构分别位于贯穿所述1个第一有源区或1个第二有源区的第二隔离结构的两侧。

可选的，位于每个第一有源区和每个第二有源区的第二面的第二掺杂区，在所述第二方向上，所述第二掺杂区位于所述第二隔离结构的两侧，在垂直于第二面的方向上，所述第二掺杂区的深度小于所述第二隔离结构的高度，并且，每个电容结构与所述第二隔离结构的两侧中的一侧的第二掺杂区电连接。