[发明专利]TFT背板与LED显示面板及其制作方法在审
申请号: | 202110794394.2 | 申请日: | 2021-07-14 |
公开(公告)号: | CN113571532A | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 罗传宝 | 申请(专利权)人: | 惠州华星光电显示有限公司;深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/15 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 吕姝娟 |
地址: | 516000 广东省惠州市仲*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | tft 背板 led 显示 面板 及其 制作方法 | ||
本申请实施例提供一种TFT背板与LED显示面板及其制作方法。TFT背板包括显示晶体管区、LED结合区以及压感晶体管区;显示晶体管区内设有显示晶体管,显示晶体管包括第一有源层、第一栅极、第一源极、第一漏极;LED结合区的顶面设有第一导电层,第一导电层与第一漏极电性连接;压感晶体管区内设有压感晶体管,压感晶体管包括依次层叠设置的第二有源层、栅极绝缘层、第二栅极、第一压感材料层、第二导电层。本申请实施例提供的TFT背板,通过设置压感晶体管,当第一压感材料层受到压力时,压感晶体管被打开而产生电流,将压力信号转换成电信号,可以通过监控电信号大小实现实时监测LED转移压合过程中TFT背板所承受的压力变化。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别涉及一种TFT背板与LED显示面板及其制作方法。
背景技术
Mini/MicroLED(MLED)显示技术在近些年进入加速发展阶段,可以应用在中小型高附加价值显示器应用领域。相较OLED屏幕,MLED显示可以在成本、对比度、高亮度和轻薄外形上表现出更佳性能。在MLED显示技术中,涉及到TFT背板技术和后段LED芯片转移技术,并且后段巨量转移技术作为Micro-LED量产的瓶颈技术,目前广泛采用的转移工艺为各向异性导电胶(ACF)工艺。
在ACF转移技术中,需要将ACF贴合后对其整面进行挤压,使得ACF胶中Au球释放,从而实现TFT背板与LED芯片连接。然而,现有的LED器件转移过程中,经常会发生TFT背板所承受压力过大导致内部线路导通发生短路的现象,导致转移良率较低。
发明内容
本申请实施例提供一种TFT背板与LED显示面板及其制作方法,当TFT背板在转移LED器件并受到挤压时,TFT背板中的压感晶体管能够实时监测TFT背板所承受的压力,避免TFT背板承受压力过大导致内部线路导通发生短路。
第一方面,本申请实施例提供一种TFT背板,包括显示晶体管区、LED结合区以及压感晶体管区;
所述显示晶体管区内设有显示晶体管,所述显示晶体管包括第一有源层、第一栅极、第一源极、第一漏极;
所述LED结合区的顶面设有第一导电层,所述第一导电层与所述第一漏极电性连接;
所述压感晶体管区内设有压感晶体管,所述压感晶体管包括依次层叠设置的第二有源层、栅极绝缘层、第二栅极、第一压感材料层、第二导电层。
在一些实施例中,所述第一压感材料层的材料包括聚偏二氟乙烯。
在一些实施例中,所述第一压感材料层的材料中掺杂有金属元素,所述金属元素包括钛和锆中的至少一种,所述金属元素在所述第一压感材料层的材料中的质量占比为5wt%~10wt%。
在一些实施例中,所述显示晶体管区的顶面与所述压感晶体管区的顶面均低于所述LED结合区的顶面。
在一些实施例中,所述LED结合区的顶面还设有第三导电层,所述第一导电层与所述第三导电层间隔设置。
在一些实施例中,所述第一导电层的下方设有第二压感材料层,所述第三导电层的下方设有第三压感材料层,所述第二压感材料层的材料、所述第三压感材料层的材料以及所述第一压感材料层的材料相同。
在一些实施例中,所述压感晶体管还包括第三栅极与第一绝缘层,所述第一绝缘层设于所述第二有源层背离所述栅极绝缘层的一侧,所述第三栅极设于所述第一绝缘层背离所述第二有源层的一侧。
第二方面,本申请实施例提供一种LED显示面板,包括TFT背板与LED器件,所述TFT背板为如上所述的TFT背板;所述LED器件与所述第一导电层电性连接。
第三方面,本申请实施例提供一种LED显示面板的制作方法,包括:
提供TFT背板,所述TFT背板为如上所述的TFT背板;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的