[发明专利]TFT背板与LED显示面板及其制作方法在审

专利信息
申请号: 202110794394.2 申请日: 2021-07-14
公开(公告)号: CN113571532A 公开(公告)日: 2021-10-29
发明(设计)人: 罗传宝 申请(专利权)人: 惠州华星光电显示有限公司;深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L27/15
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 吕姝娟
地址: 516000 广东省惠州市仲*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: tft 背板 led 显示 面板 及其 制作方法
【说明书】:

本申请实施例提供一种TFT背板与LED显示面板及其制作方法。TFT背板包括显示晶体管区、LED结合区以及压感晶体管区;显示晶体管区内设有显示晶体管,显示晶体管包括第一有源层、第一栅极、第一源极、第一漏极;LED结合区的顶面设有第一导电层,第一导电层与第一漏极电性连接;压感晶体管区内设有压感晶体管,压感晶体管包括依次层叠设置的第二有源层、栅极绝缘层、第二栅极、第一压感材料层、第二导电层。本申请实施例提供的TFT背板,通过设置压感晶体管,当第一压感材料层受到压力时,压感晶体管被打开而产生电流,将压力信号转换成电信号,可以通过监控电信号大小实现实时监测LED转移压合过程中TFT背板所承受的压力变化。

技术领域

本申请涉及显示技术领域,特别涉及一种TFT背板与LED显示面板及其制作方法。

背景技术

Mini/MicroLED(MLED)显示技术在近些年进入加速发展阶段,可以应用在中小型高附加价值显示器应用领域。相较OLED屏幕,MLED显示可以在成本、对比度、高亮度和轻薄外形上表现出更佳性能。在MLED显示技术中,涉及到TFT背板技术和后段LED芯片转移技术,并且后段巨量转移技术作为Micro-LED量产的瓶颈技术,目前广泛采用的转移工艺为各向异性导电胶(ACF)工艺。

在ACF转移技术中,需要将ACF贴合后对其整面进行挤压,使得ACF胶中Au球释放,从而实现TFT背板与LED芯片连接。然而,现有的LED器件转移过程中,经常会发生TFT背板所承受压力过大导致内部线路导通发生短路的现象,导致转移良率较低。

发明内容

本申请实施例提供一种TFT背板与LED显示面板及其制作方法,当TFT背板在转移LED器件并受到挤压时,TFT背板中的压感晶体管能够实时监测TFT背板所承受的压力,避免TFT背板承受压力过大导致内部线路导通发生短路。

第一方面,本申请实施例提供一种TFT背板,包括显示晶体管区、LED结合区以及压感晶体管区;

所述显示晶体管区内设有显示晶体管,所述显示晶体管包括第一有源层、第一栅极、第一源极、第一漏极;

所述LED结合区的顶面设有第一导电层,所述第一导电层与所述第一漏极电性连接;

所述压感晶体管区内设有压感晶体管,所述压感晶体管包括依次层叠设置的第二有源层、栅极绝缘层、第二栅极、第一压感材料层、第二导电层。

在一些实施例中,所述第一压感材料层的材料包括聚偏二氟乙烯。

在一些实施例中,所述第一压感材料层的材料中掺杂有金属元素,所述金属元素包括钛和锆中的至少一种,所述金属元素在所述第一压感材料层的材料中的质量占比为5wt%~10wt%。

在一些实施例中,所述显示晶体管区的顶面与所述压感晶体管区的顶面均低于所述LED结合区的顶面。

在一些实施例中,所述LED结合区的顶面还设有第三导电层,所述第一导电层与所述第三导电层间隔设置。

在一些实施例中,所述第一导电层的下方设有第二压感材料层,所述第三导电层的下方设有第三压感材料层,所述第二压感材料层的材料、所述第三压感材料层的材料以及所述第一压感材料层的材料相同。

在一些实施例中,所述压感晶体管还包括第三栅极与第一绝缘层,所述第一绝缘层设于所述第二有源层背离所述栅极绝缘层的一侧,所述第三栅极设于所述第一绝缘层背离所述第二有源层的一侧。

第二方面,本申请实施例提供一种LED显示面板,包括TFT背板与LED器件,所述TFT背板为如上所述的TFT背板;所述LED器件与所述第一导电层电性连接。

第三方面,本申请实施例提供一种LED显示面板的制作方法,包括:

提供TFT背板,所述TFT背板为如上所述的TFT背板;

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