[发明专利]微发光二极管显示面板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202110797246.6 | 申请日: | 2021-07-14 |
公开(公告)号: | CN113571543A | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 梅雪茹 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 邓敬威 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种微发光二极管显示面板,其特征在于,包括:
衬底基板;
第一金属层,位于所述衬底基板之上,包括源极、漏极以及电源线;
钝化层,位于所述第一金属层之上,包括位于所述源极之上的第一过孔和位于所述电源线之上的第二过孔;
第二金属层,位于所述钝化层之上,包括第一绑定电极和第二绑定电极,所述第一绑定电极通过所述第一过孔与所述源极电连接,所述第二绑定电极通过所述第二过孔与所述电源线电连接;
其中,所述第一过孔和所述第二过孔内均设置有支撑柱。
2.如权利要求1所述的微发光二极管显示面板,其特征在于,所述微发光二极管显示面板还包括微发光二极管芯片,所述微发光二极管芯片通过异方性导电胶膜分别与所述第一绑定电极、所述第二绑定电极电连接。
3.如权利要求2所述的微发光二极管显示面板,其特征在于,所述支撑柱的高度大于或等于3微米,且小于或等于10微米。
4.如权利要求3所述的微发光二极管显示面板,其特征在于,所述支撑柱的高度均一。
5.如权利要求2所述的微发光二极管显示面板,其特征在于,所述支撑柱的材料为有机光阻材料。
6.如权利要求2所述的微发光二极管显示面板,其特征在于,所述支撑柱的横截面形状为矩形或圆形。
7.如权利要求2所述的微发光二极管显示面板,其特征在于,所述支撑柱的纵截面形状为矩形或梯形。
8.如权利要求2所述的微发光二极管显示面板,其特征在于,位于相邻的一个所述第一过孔和一个所述第二过孔内的两个所述支撑柱组成支撑部,所述支撑部等间距分布。
9.一种微发光二极管显示面板的制备方法,其特征在于,包括步骤:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板之上制备第一金属层并图案化,形成源极、漏极以及电源线;
在所述第一金属层之上制备钝化层并蚀刻第一过孔和第二过孔,所述第一过孔位于所述源极之上,所述第二过孔位于所述电源线之上;
在所述第一过孔和所述第二过孔内制备支撑柱;
在所述钝化层和所述支撑柱之上制备第二金属层并图案化,形成第一绑定电极和第二绑定电极,所述第一绑定电极通过所述第一过孔与所述源极电连接,所述第二绑定电极通过所述第二过孔与所述电源线电连接。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至8任一项所述的微发光二极管显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的