[发明专利]微发光二极管显示面板及其制备方法、显示装置

说明书

本发明提供一种微发光二极管显示面板及其制备方法、显示装置。所述微发光二极管显示面板包括衬底基板、第一金属层、钝化层以及第二金属层；第一金属层包括源极、漏极以及电源线；钝化层包括位于源极之上的第一过孔和位于电源线之上的第二过孔；第二金属层包括第一绑定电极和第二绑定电极，第一绑定电极通过第一过孔与源极电连接，第二绑定电极通过第二过孔与电源线电连接；其中，第一过孔和第二过孔内均设置有支撑柱。本发明通过设置支撑柱增加第一绑定电极、第二绑定电极的高度，当进行转移制程时，机台仅与位于第一绑定电极、第二绑定电极之上的异方性导电胶膜接触，避免面内其他位置发生热压短路，从而提高微发光二极管芯片的转移良率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种微发光二极管显示面板及其制备方法、显示装置。

背景技术

近年来，OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)显示技术、MLED(Mini/Micro Light Emitting Diode，微发光二极管)显示技术等新型显示技术进入高速发展阶段，相较传统的LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)显示技术，OLED和MLED具有低功耗、高色域、高亮度等显示优势。

在MLED显示技术中，涉及到TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)背板技术和后段MLED芯片转移技术，在转移过程中，一般采用ACF(Anisotropic Conductive Film，异方性导电胶膜)将MLED芯片贴附到TFT背板上的绑定电极上，而ACF需要整面进行挤压，使得ACF中的导电金球聚集，从而实现MLED芯片与TFT背板电连接。但是，受机台平整度以及面内的MLED芯片的绑定电极的地形低的影响，容易导致绑定电极和面内走线短路，也可能造成ACF导电性能不良，影响产品良率。故，有必要改善这一缺陷。

发明内容

本发明实施例提供一种微发光二极管显示面板，用于解决由于现有技术的微发光二极管显示面板面内的微发光二极管芯片的绑定电极的地形低，导致在转移过程中容易出现绑定电极和面内走线短路以及异方性导电胶膜导电性能不良，影响产品良率的技术问题。

本发明实施例提供一种微发光二极管显示面板，包括衬底基板、第一金属层、钝化层以及第二金属层；所述第一金属层位于所述衬底基板之上，包括源极、漏极以及电源线；所述钝化层位于所述第一金属层之上，包括位于所述源极之上的第一过孔和位于所述电源线之上的第二过孔；所述第二金属层位于所述钝化层之上，包括第一绑定电极和第二绑定电极，所述第一绑定电极通过所述第一过孔与所述源极电连接，所述第二绑定电极通过所述第二过孔与所述电源线电连接；其中，所述第一过孔和所述第二过孔内均设置有支撑柱。

在本发明实施例提供的微发光二极管显示面板中，所述微发光二极管显示面板还包括微发光二极管芯片，所述微发光二极管芯片通过异方性导电胶膜分别与所述第一绑定电极、所述第二绑定电极电连接。

在本发明实施例提供的微发光二极管显示面板中，所述支撑柱的高度大于或等于3微米，且小于或等于10微米。

在本发明实施例提供的微发光二极管显示面板中，所述支撑柱的高度均一。

在本发明实施例提供的微发光二极管显示面板中，所述支撑柱的材料为有机光阻材料。

在本发明实施例提供的微发光二极管显示面板中，所述支撑柱的横截面形状为矩形或圆形。

在本发明实施例提供的微发光二极管显示面板中，所述支撑柱的纵截面形状为矩形或梯形。

在本发明实施例提供的微发光二极管显示面板中，位于相邻的一个所述第一过孔和一个所述第二过孔内的两个所述支撑柱组成支撑部，所述支撑部等间距分布。