[发明专利]一种集成电路芯片引脚电磁耦合能量估计方法

权利要求书

1.一种集成电路芯片引脚电磁耦合能量估计方法，所述集成电路芯片每边各设置一个接地引脚和若干个信号引脚，四个所述接地引脚关于所述集成电路芯片的中心旋转对称，其特征在于，包括以下步骤：

S1.选择所述集成电路芯片的任意两条相邻边，将所述两条相邻边上的两个接地引脚之间的信号引脚保留，删除其他信号引脚，得到简化模型；

S2.从所述简化模型中选择平均吸收功率最大的信号引脚作为最大平均吸收功率信号引脚，采用该最大平均吸收功率信号引脚的平均吸收功率来衡量所述集成电路芯片的引脚电磁耦合能量。

2.根据权利要求1所述的集成电路芯片引脚电磁耦合能量估计方法，其特征在于，所述从所述简化模型中选择最大平均吸收功率信号引脚，具体为：计算所述简化模型中各个信号引脚在随机入射电磁波照射下的平均吸收功率，选择最大的平均吸收功率并将其对应的信号引脚作为最大平均吸收功率信号引脚。

3.根据权利要求1所述的集成电路芯片引脚电磁耦合能量估计方法，其特征在于，所述从所述简化模型中选择最大平均吸收功率信号引脚，具体为：

S21.确定所述简化模型中间位置信号引脚和拐角位置信号引脚；

其中，所述中间位置信号引脚与所述简化模型中的一个接地引脚相隔M个信号引脚，若所述简化模型中信号引脚的数量N为奇数，则M为(N-1)/2；若所述简化模型中信号引脚的数量N为偶数，则M为N/2和N/2-1；

所述拐角位置信号引脚为所述两条相邻边上最靠近所述两个相邻边交界处的信号引脚；

S22.计算所述中间位置信号引脚和所述拐角位置信号引脚在随机入射电磁波照射下的平均吸收功率，选择最大的平均吸收功率并将其对应的信号引脚作为最大平均吸收功率信号引脚。

4.根据权利要求1～3任一项所述的集成电路芯片引脚电磁耦合能量估计方法，其特征在于，所述平均吸收功率的计算公式如下式所示：

其中，P_o和P_i分别是为混响室内随机入射电磁波照射下任意信号引脚朝外末端负载Z_o和朝内末端负载Z_i上的吸收功率，V_o和V_i分别是任意信号引脚朝外末端负载Z_o和朝内末端负载Z_i上的电压；P_o、P_i分别为混响室内随机入射电磁波照射下信号引脚朝外末端负载Z_o和朝内末端负载Z_i上的平均吸收功率，|V_o|²、|V_i|²为混响室内随机入射电磁波照射下信号引脚朝外末端负载Z_o和朝内末端负载Z_i上的电压的均方值，α、γ、θ、φ分别为入射电磁波的相角、入射角、偏振角和方位角，表示所有入射角、偏振角和相角下的平均值，*表示共轭运算。