[发明专利]一种集成电路芯片引脚电磁耦合能量估计方法

说明书

本发明属于电磁兼容领域，特别涉及一种集成电路芯片引脚电磁耦合能量估计方法，该集成电路芯片每边设置一个接地引脚和若干个信号引脚，四个所述接地引脚关于所述集成电路芯片的中心旋转对称。本发明提供的估计方法包括：S1.任意选择所述集成电路芯片两个相邻边，将所述相邻边上接地引脚之间的信号引脚保留，删除其他信号引脚，得到简化模型；S2.从所述简化模型中选择最大平均吸收功率信号引脚，采用该最大平均吸收功率信号引脚的平均吸收功率来衡量所述集成电路芯片的引脚电磁耦合能量。本方法误差小，为集成电路电磁兼容设计提供了简单便捷的估计方法。

技术领域

本发明属于电磁兼容领域，特别涉及一种集成电路芯片引脚电磁耦合能量估计方法。

背景技术

高性能的电子系统不断发展对电路的集成度要求越来越高，现代电子产品和设备中大量使用集成电路芯片(IC)。耦合到IC封装中的电磁能量对内部电路的性能可能产生重大影响，进而影响整个系统性能。因此对该能量水平的评估是电磁兼容领域的一项重要内容。目前已有大量的研究工作和标准对IC电磁干扰和电磁辐射建模、分析以及测试。但是计算耦合到IC封装中的电磁能量耗时也占用大量计算机内存，运算结果文件也占据大量存储空间。封装类型的多样性，数量众多的引脚，以及高集成度和小型化带来的引脚间的交叉耦合也使得研究过程变得复杂，难以建立合适的等效电路进行分析计算。

发明内容

有鉴于此，本发明目的在于提供一种集成电路芯片引脚电磁耦合能量估计方法，该估计方法可以快速地估计外部干扰对内部电路的影响水平，节约计算的时间和占用的内存。

为实现以上目的，本发明提供了一种集成电路芯片引脚电磁耦合能量估计方法，该集成电路芯片每边各设置一个接地引脚和若干个信号引脚，四个所述接地引脚关于所述集成电路芯片的中心旋转对称，包括以下步骤：

S1.选择所述集成电路芯片的任意两条相邻边，将所述两条相邻边上的两个接地引脚之间的信号引脚保留，删除其他信号引脚，得到简化模型；

S2.从所述简化模型中选择平均吸收功率最大的信号引脚作为最大平均吸收功率信号引脚，采用该最大平均吸收功率信号引脚的平均吸收功率来衡量所述集成电路芯片的引脚电磁耦合能量。

进一步的，所述从所述简化模型中选择最大平均吸收功率信号引脚，具体为：计算各个信号引脚在随机入射电磁波照射下的平均吸收功率，选择最大的平均吸收功率并将其对应的信号引脚作为最大平均吸收功率信号引脚。

进一步的，所述从所述简化模型中选择最大平均吸收功率信号引脚，具体为：

S21.确定所述简化模型中间位置信号引脚和拐角位置信号引脚；

其中，所述中间位置信号引脚与所述简化模型中的一个接地引脚相隔M个信号引脚，若所述简化模型中信号引脚的数量N为奇数，则M为(N-1)/2；若所述简化模型中信号引脚的数量N为偶数，则M为N/2和N/2-1；

所述拐角位置信号引脚为所述两条相邻边上最靠近所述两个相邻边交界处的信号引脚；

S22.计算所述中间位置信号引脚和所述拐角位置信号引脚在随机入射电磁波照射下的平均吸收功率，选择最大的平均吸收功率并将其对应的信号引脚作为最大平均吸收功率信号引脚。

进一步的，所述平均吸收功率的计算公式如下式所示：