[发明专利]一种识别甘氨酸的分子印迹电化学传感器的制备方法

权利要求书

1.一种识别甘氨酸的分子印迹电化学传感器的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

步骤1： MWNTs-CS纳米复合材料悬浮液的制备：将多壁碳纳米管细粉分散在含壳聚糖的乙酸溶液中，超声处理后，得到均匀的MWNTs-CS纳米复合材料悬浮液，保存备用；

步骤2：MWNTs-CS/GCE复合修饰电极的制备：将玻碳电极用15-25 nm氧化铝悬浮浆打磨，直至表面光滑，然后用无水乙醇和去离子水和硫酸溶液超声清洗；在电化学工作站上采用循环伏安法，对玻碳电极进行彻底清洗，随后开始自组装过程；然后将MWNTs-CS纳米复合材料悬浮液滴入玻碳电极表面，烘干，得到MWNTs-CS/GCE复合修饰电极；

步骤3：MIP分子识别元件的合成：将功能单体丙烯酰胺和模板分子甘氨酸加入到二醇二甲基丙酸酯中；超声分散后，进行循环伏安法，在MWNTs-CS/GCE复合修饰电极表面合成得到MIP分子识别元件；

步骤4：分子印迹电化学传感器的制备：将步骤3合成的MIP分子识别元件用磷酸盐缓冲液清洗，在搅拌下孵育，去除模板，用去离子水冲洗电极，干燥后得到识别甘氨酸的分子印迹电化学传感器。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤1中：多壁碳纳米管细粉为8-12mg，在8-12 mL含0.8-1.2 mg壳聚糖的0.8-1.2wt%乙酸溶液中分散。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤1中：超声处理时间为100-150min。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：:步骤2中：玻碳电极用无水乙醇和去离子水分别超声冲洗20-40 s，再用0.5 M的硫酸溶液浸泡，接着用去离子水超声清洗20-40s；循环伏安法以 0.2 V/s 的扫描速度，从-0.4 V 扫描至 1.6 V，循环活化 35-45 个周期后，对玻碳电极进行彻底清洗，氧化还原峰的间距小于100 mV，电极表面视为打磨干净。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：:步骤2中：将5-10 μL的MWNTs-CS纳米复合材料悬浮液滴入玻碳电极表面，并在35-40 ℃下烘干，得到MWNTs-CS/GCE复合修饰电极。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤3中：丙烯酰胺和甘氨酸按2：（2.5-3.5）的质量比称取0.50-5.00 g，加入30-80 mL二醇二甲基丙酸酯。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤3中：超声时间10-15 min，在0 V至 0.6 V的范围内进行35-45次循环伏安法，扫描速率为0.05 V/s。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤4中，孵育时间为60-70 min。