[发明专利]一种识别甘氨酸的分子印迹电化学传感器的制备方法

说明书

本发明涉及电化学传感器领域，公开了一种识别甘氨酸的分子印迹电化学传感器的制备方法，本发明先制备均匀的MWNTs‑CS纳米复合材料，然后将其滴在玻碳电极上得到MWNTs‑CS/GCE复合修饰电极，再利用循环伏安法，在MWNTs‑CS/GCE表面合成MIP分子识别元件，最后用磷酸盐缓冲液清洗后得到可检测甘氨酸含量的分子印迹电化学传感器。本发明首次利用MWNTs‑CS/GCE复合修饰电极，MWNTs‑CS纳米复合材料可以有效地修饰工作电极，可极大地增强电信号,制备具有优异电化学性能的新型传感器。

技术领域

本发明涉及电化学传感器领域，尤其涉及一种识别甘氨酸的分子印迹电化学传感器的制备方法。

背景技术

甘氨酸是人体非必需的一种氨基酸，人体若摄入甘氨酸的量过多，不仅不能被人体吸收利用，而且会打破人体对氨基酸的吸收平衡而影响其它氨基酸的吸收，导致营养失衡而影响健康。以甘氨酸为主要原料生产的含乳饮料，对青少年及儿童的正常生长发育很容易带来不利影响。目前常用甲醛法，凯氏定氮法和液相色谱法，甲醛法滴定终点难以把握，其准确度欠佳；凯氏定氮法试剂消耗量大，并且测定周期长，操作步骤复杂，而且要求样品中不能含有其他氮化物；液相色谱法的衍生化形成的副产物可能会干扰色谱分析，此外，衍生剂昂贵，操作复杂，不适用于一种氨基酸的分析。

本发明采用分子印迹技术，其分子印迹电化学传感器具有低成本，高选择性，高灵敏度等优点。多壁碳纳米管是一种具有优异电化学性能、高化学稳定性、生物相容性和高表面活性的碳纳米材料具有低成本，高选择性，高灵敏度等优点。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种识别甘氨酸的分子印迹电化学传感器的制备方法。本发明先制备均匀的MWNTs-CS纳米复合材料，然后将其滴在玻碳电极上得到MWNTs-CS/GCE复合修饰电极，再利用循环伏安法，在MWNTs-CS/GCE表面合成MIP分子识别元件，最后用磷酸盐缓冲液清洗后得到可检测甘氨酸含量的分子印迹电化学传感器。

本发明的具体技术方案为：

一种识别甘氨酸的分子印迹电化学传感器的制备方法，包括如下步骤：

步骤1： MWNTs-CS纳米复合材料悬浮液的制备：将多壁碳纳米管细粉分散在含壳聚糖的乙酸溶液中，超声处理后，得到均匀的MWNTs-CS纳米复合材料悬浮液，保存备用。

壳聚糖(CS)可促进多壁碳纳米管的CS溶液化，提高界面强度以及纳米复合材料的力学性能。

步骤2：MWNTs-CS/GCE复合修饰电极的制备：将玻碳电极用15-25 nm氧化铝悬浮浆打磨，直至表面光滑，然后用无水乙醇和去离子水和硫酸溶液超声清洗；在电化学工作站上采用循环伏安法，对玻碳电极进行彻底清洗，随后开始自组装过程；然后将MWNTs-CS纳米复合材料悬浮液滴入玻碳电极表面，烘干，得到MWNTs-CS/GCE复合修饰电极。电极打磨干净后通过物理吸附将MWNTs-CS复合材料溶液负载于电极上，使均匀分布在电极表面。CS可促进多壁碳纳米管的CS溶液化,提高界面强度。MWNTs-CS复合膜可以有效地修饰工作电极，制备具有优异电化学性能的传感器。

步骤3：MIP分子识别元件的合成：将功能单体丙烯酰胺和模板分子甘氨酸加入到二醇二甲基丙酸酯中；超声分散后，进行循环伏安法，在MWNTs-CS/GCE复合修饰电极表面合成得到MIP分子识别元件。