[发明专利]缺陷检查装置在审
申请号: | 202110802867.9 | 申请日: | 2021-07-15 |
公开(公告)号: | CN114166946A | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 田村裕宣 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | G01N29/06 | 分类号: | G01N29/06;G01N21/95;G01B17/00;G01B11/00 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 梁皓茹 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 缺陷 检查 装置 | ||
1.一种缺陷检查装置,其特征在于,
包括超声波探伤探头、图像获取部、计算部以及校正部,
所述超声波探伤探头向被进行缺陷检查的被检查物或对所述被检查物进行了模拟的模拟被检查物照射超声波,接收所述被检查物或所述模拟被检查物反射的超声波并转换为电信号,从而获取所述被检查物或所述模拟被检查物的超声波图像,
所述图像获取部向所述模拟被检查物的第一区域或所述被检查物的第二区域照射红外线,接收所述第一区域或所述第二区域反射或透射的红外线并转换为电信号,从而获取包含所述第一区域或所述第二区域的红外图像,
所述计算部计算用于对所述超声波图像中及所述红外图像中的第一区域的坐标相对于所述第一区域的设计坐标的偏离进行校正的第一校正值,或者,计算用于对所述红外图像中的第二区域的坐标相对于所述第二区域的设计坐标的偏离进行校正的第二校正值,
所述校正部对所述被检查物的超声波图像进行基于所计算出的第一校正值或第二校正值而实施的坐标校正。
2.根据权利要求1所述的缺陷检查装置,其特征在于,所述第一区域及所述第二区域具有与各自区域的周边区域的反射率不同的反射率。
3.根据权利要求2所述的缺陷检查装置,其特征在于,所述缺陷为空洞缺陷。
4.根据权利要求3所述的缺陷检查装置,其特征在于,所述第一区域为对所述空洞缺陷进行了模拟的空洞标识。
5.根据权利要求2所述的缺陷检查装置,其特征在于,所述第二区域为以金属膜形成的区域。
6.根据权利要求2所述的缺陷检查装置,其特征在于,所述周边区域为以氧化膜或氮化膜形成的区域。
7.根据权利要求1所述的缺陷检查装置,其特征在于,所述超声波图像中及所述红外图像中的第一区域的坐标相对于所述第一区域的设计坐标的偏离是倍率分量的偏离。
8.根据权利要求1所述的缺陷检查装置,其特征在于,所述红外图像中的所述第二区域的坐标相对于所述第二区域的设计坐标的偏离包括平移分量的偏离。
9.根据权利要求1所述的缺陷检查装置,其特征在于,所述红外图像中的所述第二区域的坐标相对于所述第二区域的设计坐标的偏离包括旋转分量的偏离。
10.根据权利要求1所述的缺陷检查装置,其特征在于,还具备向所述模拟被检查物的靠近所述超声波探伤探头侧的表面供给接触媒介的第一供给装置。
11.根据权利要求1所述的缺陷检查装置,其特征在于,还具备向所述模拟被检查物的靠近所述光源侧的表面供给干燥流体的第二供给装置。
12.根据权利要求1所述的缺陷检查装置,其特征在于,
所述被检查物中设有多个相同的半导体结构,
所述缺陷检查装置还具备判断部,所述判断部基于进行了所述坐标校正的所述被检查物的超声波图像,判断有无在多个所述半导体结构之间共通的缺陷。
13.根据权利要求1所述的缺陷检查装置,其特征在于,所述第一校正值为对多个被检查物通用的校正值。
14.根据权利要求1所述的缺陷检查装置,其特征在于,所述第二校正值是根据每个被检查物而分别固有的校正值。
15.根据权利要求1所述的缺陷检查装置,其特征在于,所述被检查物为将两个半导体基板贴合而成的贴合基板。
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