[发明专利]蚀刻参数计算方法、装置、电子设备及存储介质在审
| 申请号： | 202110805362.8 | 申请日： | 2021-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN113670370A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 陈丽琴;刘湘龙;林楚涛 | 申请（专利权）人： | 广州兴森快捷电路科技有限公司;深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司;宜兴硅谷电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01D21/02 | 分类号： | G01D21/02;H05K3/06 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 黄广龙 |
| 地址： | 510663 广东省广州市广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 参数 计算方法 装置 电子设备 存储 介质 | ||
1.蚀刻参数计算方法，其特征在于，包括：
获取目标蚀刻速率和目标蚀刻范围；
获取待蚀刻的PCB的铜厚参数；
确定蚀刻机的有效喷淋长度；
根据所述目标蚀刻速率、所述目标蚀刻范围、所述铜厚参数和所述有效喷淋长度，计算出蚀刻线速值。
2.根据权利要求1所述的蚀刻参数计算方法，其特征在于，所述获取目标蚀刻速率和目标蚀刻范围，包括：
在预设喷淋条件下，获取所述目标蚀刻速率，其中，所述预设喷淋条件包括喷淋压力处于预设压力范围内。
3.根据权利要求2所述的蚀刻参数计算方法，其特征在于，所述目标蚀刻速率为20μm/min至40μm/min。
4.根据权利要求1所述的蚀刻参数计算方法，其特征在于，所述获取目标蚀刻速率和目标蚀刻范围，包括：
根据预设的线宽补偿参数，获取目标蚀刻范围。
5.根据权利要求4所述的蚀刻参数计算方法，其特征在于，所述目标蚀刻范围占所述蚀刻机的缸体长度的60％至80％。
6.根据权利要求1所述的蚀刻参数计算方法，其特征在于，所述铜厚参数包括待蚀刻处理的铜厚，所述获取待蚀刻的PCB的铜厚参数，包括：
通过铜厚测量仪获取所述待蚀刻处理的铜厚。
7.根据权利要求1至6任一项所述的蚀刻参数计算方法，其特征在于，所述根据所述目标蚀刻速率、所述目标蚀刻范围、所述铜厚参数和所述有效喷淋长度，计算出蚀刻线速值，包括：
根据所述目标蚀刻速率、所述目标蚀刻范围、所述铜厚参数和所述有效喷淋长度及计算公式，计算出蚀刻线速值，其中，所述计算公式为V1为所述蚀刻线速值，V0为所述目标蚀刻速率，N为所述目标蚀刻范围，D为所述铜厚参数，L为所述有效喷淋长度。
8.蚀刻参数计算装置，其特征在于，包括：
目标蚀刻速率和目标蚀刻范围获取模块，用于获取目标蚀刻速率和目标蚀刻范围；
铜厚参数获取模块，用于获取待蚀刻的PCB的铜厚参数；
有效喷淋长度确定模块，用于确定蚀刻机的有效喷淋长度；
计算模块，用于根据所述目标蚀刻速率、所述目标蚀刻范围、所述铜厚参数和所述有效喷淋长度，计算出蚀刻线速值。
9.电子设备，其特征在于，包括：
至少一个处理器，以及，
与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，
所述存储器存储有指令，所述指令被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器执行所述指令时实现如权利要求1至7任一项所述的蚀刻参数计算方法。
10.计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于使计算机执行如权利要求1至7任一项所述的蚀刻参数计算方法。
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