[发明专利]蚀刻参数计算方法、装置、电子设备及存储介质在审
申请号: | 202110805362.8 | 申请日: | 2021-07-16 |
公开(公告)号: | CN113670370A | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 陈丽琴;刘湘龙;林楚涛 | 申请(专利权)人: | 广州兴森快捷电路科技有限公司;深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司;宜兴硅谷电子科技有限公司 |
主分类号: | G01D21/02 | 分类号: | G01D21/02;H05K3/06 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 黄广龙 |
地址: | 510663 广东省广州市广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 蚀刻 参数 计算方法 装置 电子设备 存储 介质 | ||
1.蚀刻参数计算方法,其特征在于,包括:
获取目标蚀刻速率和目标蚀刻范围;
获取待蚀刻的PCB的铜厚参数;
确定蚀刻机的有效喷淋长度;
根据所述目标蚀刻速率、所述目标蚀刻范围、所述铜厚参数和所述有效喷淋长度,计算出蚀刻线速值。
2.根据权利要求1所述的蚀刻参数计算方法,其特征在于,所述获取目标蚀刻速率和目标蚀刻范围,包括:
在预设喷淋条件下,获取所述目标蚀刻速率,其中,所述预设喷淋条件包括喷淋压力处于预设压力范围内。
3.根据权利要求2所述的蚀刻参数计算方法,其特征在于,所述目标蚀刻速率为20μm/min至40μm/min。
4.根据权利要求1所述的蚀刻参数计算方法,其特征在于,所述获取目标蚀刻速率和目标蚀刻范围,包括:
根据预设的线宽补偿参数,获取目标蚀刻范围。
5.根据权利要求4所述的蚀刻参数计算方法,其特征在于,所述目标蚀刻范围占所述蚀刻机的缸体长度的60%至80%。
6.根据权利要求1所述的蚀刻参数计算方法,其特征在于,所述铜厚参数包括待蚀刻处理的铜厚,所述获取待蚀刻的PCB的铜厚参数,包括:
通过铜厚测量仪获取所述待蚀刻处理的铜厚。
7.根据权利要求1至6任一项所述的蚀刻参数计算方法,其特征在于,所述根据所述目标蚀刻速率、所述目标蚀刻范围、所述铜厚参数和所述有效喷淋长度,计算出蚀刻线速值,包括:
根据所述目标蚀刻速率、所述目标蚀刻范围、所述铜厚参数和所述有效喷淋长度及计算公式,计算出蚀刻线速值,其中,所述计算公式为V1为所述蚀刻线速值,V0为所述目标蚀刻速率,N为所述目标蚀刻范围,D为所述铜厚参数,L为所述有效喷淋长度。
8.蚀刻参数计算装置,其特征在于,包括:
目标蚀刻速率和目标蚀刻范围获取模块,用于获取目标蚀刻速率和目标蚀刻范围;
铜厚参数获取模块,用于获取待蚀刻的PCB的铜厚参数;
有效喷淋长度确定模块,用于确定蚀刻机的有效喷淋长度;
计算模块,用于根据所述目标蚀刻速率、所述目标蚀刻范围、所述铜厚参数和所述有效喷淋长度,计算出蚀刻线速值。
9.电子设备,其特征在于,包括:
至少一个处理器,以及,
与所述至少一个处理器通信连接的存储器;其中,
所述存储器存储有指令,所述指令被所述至少一个处理器执行,以使所述至少一个处理器执行所述指令时实现如权利要求1至7任一项所述的蚀刻参数计算方法。
10.计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令,所述计算机可执行指令用于使计算机执行如权利要求1至7任一项所述的蚀刻参数计算方法。
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