[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

鳍结构，设置在所述衬底上；

栅极结构，设置在所述鳍结构上；

源极/漏极(S/D)区域，邻近所述栅极结构设置；

接触结构，设置在所述源极/漏极区域上，其中，所述接触结构包括设置在所述源极/漏极区域上的三元化合物层、设置在所述三元化合物层上的功函金属(WFM)硅化物层和设置在所述功函金属硅化物层上的接触插塞；以及

偶极子层，设置在所述三元化合物层和所述源极/漏极区域之间的界面处。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述偶极子层包括所述功函金属硅化物层的掺杂剂原子和所述源极/漏极区域的半导体原子。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述三元化合物层包括锆基三元化合物。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，面向所述三元化合物层的所述源极/漏极区域的第一表面包括(111)晶向，并且

其中，面向所述功函金属硅化物层的所述三元化合物层的第二表面包括非小平面表面。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述三元化合物层是不连续层，并且

其中，面向所述三元化合物层的所述源极/漏极区域的表面具有(111)晶向。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，面向所述三元化合物层的所述源极/漏极区域的第一表面包括(100)或(110)晶向，并且

其中，面向所述功函金属硅化物层的所述三元化合物层的第二表面包括小平面表面。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述功函金属硅化物层包括金属掺杂剂，所述金属掺杂剂的电负性值小于所述功函金属硅化物层的金属硅化物中的金属的电负性值。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述接触结构还包括沿着所述接触插塞的侧壁的衬垫，并且

其中，所述衬垫包括所述偶极子层的金属或金属的氧化物。

9.一种半导体器件，包括：

栅极结构，设置在第一鳍结构和第二鳍结构上；

合并的源极/漏极(S/D)区域，设置在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构上；以及

接触结构，设置在所述合并的源极/漏极区域上，

其中，所述接触结构包括设置在所述合并的源极/漏极区域上的三元化合物簇、设置在所述三元化合物簇和所述合并的源极/漏极区域上的功函金属(WFM)硅化物层以及设置在所述功函金属硅化物层上的接触插塞。

10.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底上形成鳍结构；

在所述鳍结构上形成源极/漏极(S/D)区域；

在所述源极/漏极区域上形成接触开口；

在所述接触开口内形成掺杂的功函金属(nWFM)硅化物层；

在所述掺杂的功函金属硅化物层和所述源极/漏极区域之间形成三元化合物层；以及

在所述接触开口内形成接触插塞。